Troubleshooting semiconductor device failure is critical for improving manufacturing yield, reducing costs, and minimizing overall end-of-line test failures. However, isolating faults and defects (e.g. opens, metal shorts, and leakages) in the failure analysis workflow is becoming more challenging due to increasingly complex semiconductor designs.

Optical fault isolation (OFI) is a type of electrical failure analysis that makes use of a variety of optical techniques (photon-emission, static laser stimulation, etc.) to detect the causes of device failure.

This can include both static and dynamic OFI:

Hoja de estilo para las especificaciones de la tabla de productos
Static OFI techniquesDynamic OFI techniques
Optical beam Induced resistance change (OBIRCH)Laser voltage imaging (LVI)
Optical beam induced current (OBIC)Laser Voltage Probing (LVP)
Light induced voltage alteration (LIVA)Laser voltage tracing (LVT)
Thermally induced voltage alteration (TIVA)Laser-assisted device alteration (LADA)
Static photon emission (PEM)Soft defect localization (SDL)
 Dynamic photon emission (PEM)

Broadly, these techniques allow the user to analyze the performance of electrically active devices and locate critical defects that cause a device to fail.  Understanding these defects, and then eliminating them from the manufacturing process, is crucial if modern fabs are to operate at high yield and profitability.

Thermo Fisher Scientific offers a variety of optical fault isolation systems as part of the Meridian product line. This includes all of the above OFI techniques, encompassing systems for both photon emission and laser stimulation applications. The Meridian product line consists of cost-effective, high-sensitivity solutions for localizing electrical failures in semiconductor devices, and is especially powerful when combined with other analysis workflows and solutions from Thermo Fisher Scientific's portfolio. Click through to the appropriate product pages below for more information.

Semiconductor optical fault isolation workflow example

 


Resources

Applications

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Ofrecemos capacidades analíticas avanzadas para el análisis de defectos, metrología y control de procesos, diseñadas para ayudar a aumentar la productividad y mejorar el rendimiento en una amplia gama de aplicaciones y dispositivos semiconductores.

Análisis de fallos de semiconductores

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Caracterización física y química

La demanda continua de los consumidores impulsa la creación de dispositivos electrónicos más pequeños, más rápidos y más baratos. Su producción se basa en instrumentos y flujos de trabajo de alta productividad que generan imágenes, analizan y caracterizan una amplia gama de semiconductores y dispositivos de visualización.

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Cualificación de semiconductor ESD

Se necesita un plan de control de descarga electrostática (ESD) para identificar los dispositivos que son sensibles a ESD. Ofrecemos un conjunto completo de sistemas de prueba para ayudarle con los requisitos de cualificación de su dispositivo.


Samples


Materiales semiconductores y caracterización de dispositivos

A medida que los dispositivos semiconductores se reducen y se vuelven más complejos, se necesitan nuevos diseños y estructuras. Los flujos de trabajo de análisis en 3D de alta productividad pueden reducir el tiempo de desarrollo de dispositivos, maximizar el rendimiento y garantizar que los dispositivos satisfacen las necesidades futuras del sector.

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Style Sheet for Komodo Tabs
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Products

Hoja de estilo para tarjetas originales instrumentos

Sistema Meridian S

  • Diagnóstico de fallos con tecnología de sonda activa
  • Estimulación láser estática (SLS / OBIRCH) y opciones de emisión de fotones
  • Admite la estimulación de dispositivos de microsonda y de tarjetas de sonda

Sistema Meridian WS-DP

  • Detección de emisiones de fotones de baja tensión, bajo nivel de ruido y alta sensibilidad con sistemas de cámara DBX o InGaAs de banda ancha
  • Microscopio de barrido láser de longitud de onda múltiple para análisis de cadena de barrido, mapeo de frecuencia, sondeo de transistores y aislamiento de fallos

Sistema Meridian 7

  • Aislamiento dinámico de fallos ópticos para el nodo de 10 nm e inferiores
  • Luz infrarroja y visible de alta resolución
  • Preparación de muestras de alto rendimiento de 5 μm disponible

Sistema Meridian IV

  • Detección de emisión de fotones DBX de longitud de onda ampliada de alta sensibilidad
  • Detección de emisión de fotones de InGaAs estándar
  • Microscopio de barrido láser con opciones de longitud de onda múltiple


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