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Semiconductor Analysis
Semiconductor Materials and Device Characterization
Advanced semiconductor materials and device characterization solutions for logic, 3D NAND, DRAM, display, power, analog and MEMS devices.
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5ae5 – Anwendungen/Verfahren/Produkte/Kontakt
The fabrication of nanostructures and architectures with uniform dimensions is highly desirable for developing functional semiconductor devices. As these devices shrink, the fabrication of new designs and more complex structures, using novel materials, is needed to meet corresponding challenges. To this end, highly sensitive and advanced analytical tools must be used to detect the slightest electrical issues that can influence yield or performance in these more advanced structures.
As an example, analysis might include isolating electrical faults that cause semiconductor devices to fail at end-of-line tests. Defects, like metal shorts, opens, and transistor-level leakages, are localized in the failure analysis workflow to identify and troubleshoot failures, increasing overall device manufacturing yield. This helps to improve cost-effectiveness, and provides high-sensitivity solutions for detecting electrical failures.
Thermo Fisher Scientific 3D analysis solutions and workflows offer high-productivity characterization on a broad range of devices and sample types - from packaged die, bare die, to 150 mm, 200 mm and 300 mm wafers.
Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern
Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.
Fehleranalyse von Halbleitern
Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.
Physikalische und chemische Charakterisierung
Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.
ESD-Halbleiterqualifizierung
Jeder Kontrollplan für elektrostatische Entladung (ESD) muss Geräte identifizieren können, die empfindlich auf elektrostatische Entladung reagieren. Wir bieten ein komplettes Angebot von Testsystemen für die Qualifizierung Ihrer Geräte.
Fortschrittliche Speichertechnologie
Moderne Datenanforderungen treiben Innovationen in 3D-NAND, DRAM und anderen Speicherstrukturen voran. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Speicheranalyse bieten eine hoch produktive Charakterisierung, sodass Hersteller die Anforderungen an Leistung, Latenz und Kapazität erfüllen können.
Analyse von Leistungshalbleitern
Leistungshalbleiter stellen besondere Herausforderungen für die Lokalisierung von Fehlern dar, vor allem aufgrund der Architektur und des Aufbaus von Leistungshalbleitern. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Analyse von Leistungshalbleitern ermöglichen unter Betriebsbedingungen eine schnelle Bestimmung des Fehlerorts sowie eine präzise Hochdurchsatzanalyse zur Charakterisierung von Materialien, Schnittstellen und Bauelementstrukturen.
Ausbeutesteigerung und Metrologie
Wir bieten fortschrittliche Analysemöglichkeiten für die Fehleranalyse, Metrologie und Prozesskontrolle, die die Produktivität erhöhen und die Ausbeute bei zahlreichen Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauelementen verbessern.
Style Sheet for Komodo Tabs
TEM-Messtechnik
Fortschrittliche und automatisierte TEM-Messroutinen liefern eine deutlich höhere Präzision als manuelle Methoden. Dadurch können Anwender große Mengen statistisch relevanter Daten mit Spezifität im Sub-Angstrom-Bereich erzeugen, die frei von Bedienereinflüssen ist.
Bildgebung und Analyse mittels TEM für Halbleiter
Thermo Fisher Scientific Transmissionselektronenmikroskope bieten die hochauflösende Bildgebung und Analyse von Halbleiterbauelementen, mit denen Hersteller Werkzeuge kalibrieren, Fehlermechanismen diagnostizieren und die Gesamtprozesserträge optimieren können.
Schaltungsbearbeitung
Fortschrittliche, eigens für diese Aufgabe betriebene Lösungen zur Schaltungsbearbeitung und für das Nanoprototyping, die neuartige Gaszuführsysteme mit einem breiten Portfolio an chemischen Eigenschaften und FIB-Technologie (fokussierter Ionenstrahl) kombinieren, bieten unvergleichliche Kontrolle und Präzision für die Entwicklung von Halbleiterbauelementen.
SEM-Messtechnik
Die Rasterelektronenmikroskopie liefert präzise und zuverlässige Metrologiedaten im Nanometerbereich. Die automatisierte REM-Messtechnik mit ultrahoher Auflösung ermöglicht eine schnellere Ausbeute (Time-to-Yield) und Markteinführung (Time-to-Market) für Speicher-, Logik- und Datenspeicheranwendungen.
Bildgebung und Analyse von Halbleitern
Thermo Fisher Scientific bietet Rasterelektronenmikroskope für jede Funktion eines Halbleiterlabors, von allgemeinen Bildgebungsaufgaben bis hin zu fortschrittlichen Fehleranalyseverfahren, die präzise Spannungskontrastmessungen erfordern.
Optische Fehlerisolierung
Immer komplexere Konstruktionen erschweren die Isolierung von Fehlern und Defekten in der Halbleiterfertigung. Mit Verfahren der optischen Fehlerisolierung können Sie die Leistung von elektrisch aktiven Geräten analysieren, um systemrelevante Defekte zu finden, die zu einem Geräteausfall führen.
Thermische Fehlerisolierung
Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).
Probenvorbereitung von Halbleiterbauelementen
Thermo Scientific DualBeam Systeme bieten genaue eine TEM-Probenvorbereitung für die Analyse von Halbleiterbauelementen im atomaren Maßstab. Automatisierung und fortschrittliche Machine-Learning-Methoden erzeugen qualitativ hochwertige Proben am richtigen Ort und zu niedrigen Kosten pro Probe.
Nanosondierung
Je komplexer das Gerät ist, um so mehr Stellen existieren, an denen sich Defekte verstecken können. Nanosondierung ermöglicht die präzise Lokalisierung von elektrischen Fehlern, was für eine effektive Fehleranalyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie entscheidend ist.
Laserablation für Halbleiter
Die Laserablation ermöglicht das Abtragen von Halbleiterbauelementen im Hochdurchsatz für die Bildgebung und Analyse mittels Elektronenmikroskopie bei gleichzeitiger Erhaltung der Probenintegrität. Greifen Sie auf 3D-Daten mit großem Volumen zu und optimieren Sie die Abtragungsbedingungen, um sie auf die für Ihren Probentyp beste Weise zu nutzen.
Entschichtung von Bauelementen
Immer kleinere Bauelemente und fortschrittliches Design und Architektur führen zu immer größeren Herausforderungen bei der Fehleranalyse von Halbleitern. Die schadensfreie Entschichtung von Bauelementen ist ein wichtiges Verfahren für die Erkennung von verborgenen elektrischen Fehlern und Ausfällen.
ESD-Konformitätstests
Elektrostatische Entladungen (ESD) können kleine Merkmale und Strukturen in Halbleitern und integrierten Schaltkreisen beschädigen. Wir bieten eine umfassende Suite von Testgeräten, mit denen Sie überprüfen können, ob Ihre Bauelemente die angestrebten ESD-Konformitätsstandards erfüllen.
TEM-Messtechnik
Fortschrittliche und automatisierte TEM-Messroutinen liefern eine deutlich höhere Präzision als manuelle Methoden. Dadurch können Anwender große Mengen statistisch relevanter Daten mit Spezifität im Sub-Angstrom-Bereich erzeugen, die frei von Bedienereinflüssen ist.
Bildgebung und Analyse mittels TEM für Halbleiter
Thermo Fisher Scientific Transmissionselektronenmikroskope bieten die hochauflösende Bildgebung und Analyse von Halbleiterbauelementen, mit denen Hersteller Werkzeuge kalibrieren, Fehlermechanismen diagnostizieren und die Gesamtprozesserträge optimieren können.
Schaltungsbearbeitung
Fortschrittliche, eigens für diese Aufgabe betriebene Lösungen zur Schaltungsbearbeitung und für das Nanoprototyping, die neuartige Gaszuführsysteme mit einem breiten Portfolio an chemischen Eigenschaften und FIB-Technologie (fokussierter Ionenstrahl) kombinieren, bieten unvergleichliche Kontrolle und Präzision für die Entwicklung von Halbleiterbauelementen.
SEM-Messtechnik
Die Rasterelektronenmikroskopie liefert präzise und zuverlässige Metrologiedaten im Nanometerbereich. Die automatisierte REM-Messtechnik mit ultrahoher Auflösung ermöglicht eine schnellere Ausbeute (Time-to-Yield) und Markteinführung (Time-to-Market) für Speicher-, Logik- und Datenspeicheranwendungen.
Bildgebung und Analyse von Halbleitern
Thermo Fisher Scientific bietet Rasterelektronenmikroskope für jede Funktion eines Halbleiterlabors, von allgemeinen Bildgebungsaufgaben bis hin zu fortschrittlichen Fehleranalyseverfahren, die präzise Spannungskontrastmessungen erfordern.
Optische Fehlerisolierung
Immer komplexere Konstruktionen erschweren die Isolierung von Fehlern und Defekten in der Halbleiterfertigung. Mit Verfahren der optischen Fehlerisolierung können Sie die Leistung von elektrisch aktiven Geräten analysieren, um systemrelevante Defekte zu finden, die zu einem Geräteausfall führen.
Thermische Fehlerisolierung
Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).
Probenvorbereitung von Halbleiterbauelementen
Thermo Scientific DualBeam Systeme bieten genaue eine TEM-Probenvorbereitung für die Analyse von Halbleiterbauelementen im atomaren Maßstab. Automatisierung und fortschrittliche Machine-Learning-Methoden erzeugen qualitativ hochwertige Proben am richtigen Ort und zu niedrigen Kosten pro Probe.
Nanosondierung
Je komplexer das Gerät ist, um so mehr Stellen existieren, an denen sich Defekte verstecken können. Nanosondierung ermöglicht die präzise Lokalisierung von elektrischen Fehlern, was für eine effektive Fehleranalyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie entscheidend ist.
Laserablation für Halbleiter
Die Laserablation ermöglicht das Abtragen von Halbleiterbauelementen im Hochdurchsatz für die Bildgebung und Analyse mittels Elektronenmikroskopie bei gleichzeitiger Erhaltung der Probenintegrität. Greifen Sie auf 3D-Daten mit großem Volumen zu und optimieren Sie die Abtragungsbedingungen, um sie auf die für Ihren Probentyp beste Weise zu nutzen.
Entschichtung von Bauelementen
Immer kleinere Bauelemente und fortschrittliches Design und Architektur führen zu immer größeren Herausforderungen bei der Fehleranalyse von Halbleitern. Die schadensfreie Entschichtung von Bauelementen ist ein wichtiges Verfahren für die Erkennung von verborgenen elektrischen Fehlern und Ausfällen.
ESD-Konformitätstests
Elektrostatische Entladungen (ESD) können kleine Merkmale und Strukturen in Halbleitern und integrierten Schaltkreisen beschädigen. Wir bieten eine umfassende Suite von Testgeräten, mit denen Sie überprüfen können, ob Ihre Bauelemente die angestrebten ESD-Konformitätsstandards erfüllen.
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten
