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Semiconductor Analysis
Semiconductor Metrology and Yield Analysis
Semiconductor metrology and yield analysis workflows for high-speed, high-resolution, 3D characterization, providing the fastest time to yield.
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As semiconductor device design approaches smaller nodes, it becomes more and more difficult to ramp manufacturing yields. These smaller nodes, as well as more complex 3D architectures, result in added steps and more complexity in the design process. Hundreds of steps are involved, and any defect or electrical fault that occurs in any one step will slow down the total production time. Since time-to-market and time-to-yield are both crucial for the commercial success of any new semiconductor design, metrology and inspection tools are needed to make sure each of these steps is optimized. This ensures the maximum yield can be guaranteed and maintained.
Yield analysis must be carried out as quickly and as inexpensively as possible. However, given the many steps involved in device manufacture, this can often be an extremely challenging proposition. For example, in an advanced logic device, many different measurements need to be taken, such as the finFET gate height, fin height, and sidewall angle. Performing these measurements in a cost-effective and timely manner requires advanced characterization tools designed specifically for semiconductor analysis. By using automated SEM or (S)TEM based metrology instruments, manufacturers can provide accurate and timely semiconductor inspection, lower manufacturing costs, and shorten the product development cycle.
Thermo Fisher Scientific offers a suite of next-generation products with advanced analytical capabilities for semiconductor metrology and inspection. These solutions are designed to help increase productivity in semiconductor fabrication labs by improving quality control and yield in the manufacture of logic, 3D NAND, DRAM, analog, power and display devices.
Semiconductor metrology & yield ramp workflow examples
Style Sheet for Komodo Tabs
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Isolement des pannes thermiques
Une répartition inégale de la dissipation d’énergie locale peut entraîner de grandes augmentations localisées de la température, ce qui entraîne une défaillance du dispositif. Nous proposons des solutions uniques pour l’isolement des pannes thermiques grâce à la thermographie infrarouge à verrouillage haute sensibilité (LIT).
Métrologie par TEM
Les routines de métrologie par TEM avancées et automatisées offrent une précision nettement supérieure à celle des méthodes manuelles. Cela permet aux utilisateurs de générer de grandes quantités de données statistiquement pertinentes, avec une spécificité de niveau inférieur à l’angström, qui est exempte de biais de l’opérateur.
Préparation des échantillons de dispositifs semi-conducteurs
Les systèmes DualBeam Thermo Scientific fournissent une préparation des échantillons par TEM précise pour l’analyse à l’échelle atomique des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies d’automatisation et d’apprentissage automatique avancé produisent des échantillons de haute qualité, au bon emplacement, et à un faible coût par échantillon.
Métrologie par SEM
La microscopie électronique à balayage fournit des données de métrologie précises et fiables à l’échelle du nanomètre. La métrologie par SEM à ultra haute résolution automatisée permet un délai de rendement et de mise sur le marché plus rapide pour les applications de stockage de mémoire, de logique et de données.
Analyse et imagerie des semi-conducteurs
Thermo Fisher Scientific propose des microscopes électroniques à balayage pour chaque fonction d’un laboratoire de semi-conducteurs, des tâches d’imagerie générales aux techniques d’analyse de défaillances avancées nécessitant des mesures précises du contraste de tension.
Déstratification des dispositifs
La réduction de la taille des caractéristiques, ainsi que la conception et l’architecture avancées, donne lieu à une analyse des défaillances de plus en plus difficile pour les semi-conducteurs. La déstratification des dispositifs sans dommages est une technique essentielle pour la détection des pannes et défaillances électriques intégrées.
Isolement des pannes thermiques
Une répartition inégale de la dissipation d’énergie locale peut entraîner de grandes augmentations localisées de la température, ce qui entraîne une défaillance du dispositif. Nous proposons des solutions uniques pour l’isolement des pannes thermiques grâce à la thermographie infrarouge à verrouillage haute sensibilité (LIT).
Métrologie par TEM
Les routines de métrologie par TEM avancées et automatisées offrent une précision nettement supérieure à celle des méthodes manuelles. Cela permet aux utilisateurs de générer de grandes quantités de données statistiquement pertinentes, avec une spécificité de niveau inférieur à l’angström, qui est exempte de biais de l’opérateur.
Préparation des échantillons de dispositifs semi-conducteurs
Les systèmes DualBeam Thermo Scientific fournissent une préparation des échantillons par TEM précise pour l’analyse à l’échelle atomique des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies d’automatisation et d’apprentissage automatique avancé produisent des échantillons de haute qualité, au bon emplacement, et à un faible coût par échantillon.
Métrologie par SEM
La microscopie électronique à balayage fournit des données de métrologie précises et fiables à l’échelle du nanomètre. La métrologie par SEM à ultra haute résolution automatisée permet un délai de rendement et de mise sur le marché plus rapide pour les applications de stockage de mémoire, de logique et de données.
Analyse et imagerie des semi-conducteurs
Thermo Fisher Scientific propose des microscopes électroniques à balayage pour chaque fonction d’un laboratoire de semi-conducteurs, des tâches d’imagerie générales aux techniques d’analyse de défaillances avancées nécessitant des mesures précises du contraste de tension.
Déstratification des dispositifs
La réduction de la taille des caractéristiques, ainsi que la conception et l’architecture avancées, donne lieu à une analyse des défaillances de plus en plus difficile pour les semi-conducteurs. La déstratification des dispositifs sans dommages est une technique essentielle pour la détection des pannes et défaillances électriques intégrées.
Caractérisation des dispositifs et matériaux semi-conducteurs
À mesure que les dispositifs semi-conducteurs rétrécissent et deviennent plus complexes, de nouvelles conceptions et structures sont nécessaires. Les flux de travaux d’analyse 3D à haute productivité peuvent raccourcir la durée de développement des dispositifs, optimiser le rendement et s’assurer que les dispositifs répondent aux besoins futurs de l’industrie.
Style Sheet for Instrument Cards Original
