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Semiconductor Analysis
Semiconductor TEM Imaging and Analysis
Transmission electron microscopy of advanced semiconductor devices for high-resolution imaging and characterization with high analytical efficiency.
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Advanced (scanning) transmission electron microscopy (S)TEM have become a necessary part of all leading-edge wafer-fabrication workflows due to an increasing demand for high-quality, rapid analysis and imaging of complex structures. Semiconductor designers need analytical tools that offer excellent flexibility and stability, as well as high-resolution imaging, in order to properly analyze and optimize device performance. (S)TEM characterization allows manufacturers to calibrate toolsets, diagnose failure mechanisms, and optimize overall process yields.
Beyond imaging, a range of techniques are available on (S)TEM instrumentation that are critical for semiconductor device characterization, including; electron diffraction, for crystal orientation mapping or strain analysis, energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS), for qualitative or quantitative composition analysis, and electron energy-loss spectroscopy (EELS), for compositional and chemical information. Additionally, advanced imaging techniques, such as electron holography, tomography, Lorentz imaging and (integrated) differential phase-contrast (iDPC/DPC) imaging, are also available and are now routinely used in semiconductor labs.
Thermo Fisher Scientific is the world leader in TEM workflows for metrology, analysis, and pathfinding in semiconductor devices thanks to an uncompromising combination of high-resolution imaging and high analytical performance. Click through to the appropriate product pages below to learn more.
TEM imaging and analysis workflow example
High-angle-annular-dark-field (HAADF) STEM image (left), annular-bright-field (ABF) STEM image (middle), and iDPC image (right) of a finFET device.
FinFET device imaged with transmission electron microscopy and mapped with energy dispersive X-ray spectroscopy.
With a diffraction series, the strain distribution in a device cross section can be detected. In this example, 1,620 diffraction patterns are collected and analyzed to generate the inset strain map, shown along the (110) direction.
High-angle-annular-dark-field (HAADF) STEM image (left), annular-bright-field (ABF) STEM image (middle), and iDPC image (right) of a finFET device.
FinFET device imaged with transmission electron microscopy and mapped with energy dispersive X-ray spectroscopy.
With a diffraction series, the strain distribution in a device cross section can be detected. In this example, 1,620 diffraction patterns are collected and analyzed to generate the inset strain map, shown along the (110) direction.
Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern
Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.
Ausbeutesteigerung und Metrologie
Wir bieten fortschrittliche Analysemöglichkeiten für die Fehleranalyse, Metrologie und Prozesskontrolle, die die Produktivität erhöhen und die Ausbeute bei zahlreichen Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauelementen verbessern.
Fehleranalyse von Halbleitern
Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.
Physikalische und chemische Charakterisierung
Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.
Analyse von Leistungshalbleitern
Leistungshalbleiter stellen besondere Herausforderungen für die Lokalisierung von Fehlern dar, vor allem aufgrund der Architektur und des Aufbaus von Leistungshalbleitern. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Analyse von Leistungshalbleitern ermöglichen unter Betriebsbedingungen eine schnelle Bestimmung des Fehlerorts sowie eine präzise Hochdurchsatzanalyse zur Charakterisierung von Materialien, Schnittstellen und Bauelementstrukturen.
Fehleranalyse von Anzeigemodulen
Die Entwicklung von Anzeigetechnologien zielt darauf ab, die Anzeigequalität und die Effizienz der Lichtkonvertierung zu verbessern, um Anwendungen in verschiedenen Branchen zu unterstützen und gleichzeitig die Produktionskosten weiter zu senken. Unsere Lösungen für Prozessmesstechnik, Fehleranalyse und Forschung und Entwicklung helfen Unternehmen, die sich mit Anzeigen beschäftigen, diese Herausforderungen zu meistern.
Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen
Da Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, werden neue Designs und Strukturen benötigt. Arbeitsabläufe für hochproduktive 3D-Analysen können die Entwicklungszeit von Bauelementen verkürzen, die Ausbeute maximieren und sicherstellen, dass Bauelemente die zukünftigen Anforderungen der Branche erfüllen.
Style Sheet for Komodo Tabs
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten
