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ELECTRICAL FAILURE ANALYSIS SYSTEMS
Meridian 7 System
Optical fault isolation system for non-destructive localization of electrical faults at sub-10 nm nodes.
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4d5e – Haupt/Ressourcen/Anwendungen/Verfahren/Kontakt
The ability to improve yield and reliability includes detailed defect analysis. Design debugging of marginal failures can be more challenging due to voltage or timing issues within the device. Determining the root cause of parametric failure requires isolation of its actual location inside the device and the ability to access the relevant circuitry without damaging the device or obscuring the defects.
The Thermo Scientific Meridian 7 System provides visible light laser voltage imaging (LVI), probing (LVP), and dynamic laser stimulation (DLS/LADA) on sub-10 nm devices. By avoiding a requirement for ultra-thin substrates, it preserves the integrity and functionality of the device under test to provide a reliable and practical production solution.
The Meridian 7 System is available in two configurations:
- Meridian 7D System: Combined 1064 nm and 785 nm dual-SIL laser scanning microscope (LSM) system
- Meridian 7S System: 785 nm-only LSM system with optional advanced sample cooling for high-speed testing where sample thermal management may be necessary to prevent thermal runaway from altering chip performance
Dynamic Optical Fault Isolation to identify parametric defects
- Characterization under test conditions for advanced devices at 10 nm node and below
- Optional Time-resolved LADA
High bandwidth for accurate timing analysis
- 7 GHz bandwidth for at-speed tests
- Measure 50 picosecond rise time
Enhanced optical resolution for better fault localization
- High-resolution visible and infrared light
- 785 nm analysis limits sample prep to 5 µm
Style Sheet for Komodo Tabs
High resolution 785nm Laser Scanning Microscopy image with DUT sample preparation to 5um
Visible light enables a smaller spot size, minimizing cross-talk from neighboring transistors during Laser Voltage Probing (LVP) analysis.
Device frequency mapping with 785nm Laser Voltage Imaging (LVI).
TR-LADA for Dynamic OFI
Preserving sensitive circuit areas while delivering greater defect localization capabilities is what the new TR-LADA option can do for your Meridian Optical Fault Isolation system.
High resolution 785nm Laser Scanning Microscopy image with DUT sample preparation to 5um
Visible light enables a smaller spot size, minimizing cross-talk from neighboring transistors during Laser Voltage Probing (LVP) analysis.
Device frequency mapping with 785nm Laser Voltage Imaging (LVI).
TR-LADA for Dynamic OFI
Preserving sensitive circuit areas while delivering greater defect localization capabilities is what the new TR-LADA option can do for your Meridian Optical Fault Isolation system.
Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern
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Fehleranalyse von Halbleitern
Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.
Optische Fehlerisolierung
Immer komplexere Konstruktionen erschweren die Isolierung von Fehlern und Defekten in der Halbleiterfertigung. Mit Verfahren der optischen Fehlerisolierung können Sie die Leistung von elektrisch aktiven Geräten analysieren, um systemrelevante Defekte zu finden, die zu einem Geräteausfall führen.
Optische Fehlerisolierung
Immer komplexere Konstruktionen erschweren die Isolierung von Fehlern und Defekten in der Halbleiterfertigung. Mit Verfahren der optischen Fehlerisolierung können Sie die Leistung von elektrisch aktiven Geräten analysieren, um systemrelevante Defekte zu finden, die zu einem Geräteausfall führen.
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Electron microscopy services for
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To ensure optimal system performance, we provide you access to a world-class network of field service experts, technical support, and certified spare parts.
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