반도체 고장 분리 | 광학적 고장 분리

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반도체 소자 불량의 해결은 제조 수율 향상, 비용 절감, 전반적인 최종 검사 실패 최소화를 위해 매우 중요합니다. 그러나 반도체 설계가 점점 더 복잡해짐에 따라 고장 분석 워크플로우에서 고장과 결함(예: 개방, 금속 단락, 누출)을 분리하는 것이 점점 더 어려워지고 있습니다.

Optical fault isolation (OFI)는 다양한 광학 기술(광자 방출, 정적 레이저 자극 등)을 사용하여 소자 불량의 원인을 찾는 전기적 고장 분석의 한 유형입니다.

여기에는 정적(static) 및 동적(dynamic) OFI가 모두 포함될 수 있습니다.

재품 표 사항에 대한 스타일시트

Static OFI 기술	Dynamic OFI 기술
Optical beam Induced resistance change (OBIRCH)	Laser voltage imaging (LVI)
Optical beam induced current (OBIC)	Laser Voltage Probing (LVP)
Light induced voltage alteration (LIVA)	Laser voltage tracing (LVT)
Thermally induced voltage alteration (TIVA)	Laser-assisted device alteration (LADA)
Static photon emission (PEM)	Soft defect localization (SDL)
	Dynamic photon emission (PEM)

일반적으로 이러한 기술을 통해 사용자는 전기적 활성 장치의 성능을 분석하고 장치 고장을 일으키는 심각한 결함을 찾을 수 있습니다. 이러한 결함을 이해한 다음 제조 공정에서 제거하는 것은 현대적인 제조(fab) 공정이 높은 수율과 수익성으로 운영되는데 있어 매우 중요합니다.

Thermo Fisher Scientific은 Meridian 제품군의 일부로 다양한 광학적 고장 분리 시스템을 제공합니다. 여기에는 위의 모든 OFI 기술이 포함되며 광자 방출 및 레이저 자극 애플리케이션을 위한 시스템을 포괄합니다. Meridian 제품군은 반도체 장치의 전기적 결함 위치를 파악하기 위한 비용 효율적인 고감도 솔루션으로 구성되어 있으며, 특히 Thermo Fisher Scientific 포트폴리오의 다른 분석 워크플로우 및 솔루션과 결합할 때 강력한 성능을 발휘합니다. 자세한 내용을 보려면 아래의 해당 제품 페이지를 클릭하십시오.