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Semiconductor Analysis
Semiconductor Device Characterization
Semiconductor imaging, analysis and characterization.
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The electronics market is under constant consumer pressure to develop smaller, faster, cheaper, and more energy-efficient devices. This requires semiconductor designs that have smaller and smaller structural dimensions, with shorter time-to-yield and time-to-market. Unfortunately, most common technologies and workflows are inadequate for characterizing these smaller features.
As a result, novel and high productivity transmission electron microscope (TEM) workflows are needed to image and analyze the next generation of semiconductor device structures. Advanced characterization of these devices can help you deliver on necessary performance, predict and control structural, physical, and chemical properties, as well as correlate your characterization data to parametric test results.
Thermo Fisher Scientific offers workflows for the high-productivity characterization of parameters that directly affect device yield, performance, and reliability. This includes physical, structural, and chemical properties. Click through to the pages below to learn more about our range of products and to gain a deeper understanding of how these workflows can meet your specific needs.
Semiconductor device characterization workflow examples
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Nanosondage
À mesure que la complexité des dispositifs augmente, le nombre d’endroits où les défauts peuvent se cacher augmente également. Le nanosondage fournit la localisation précise des pannes électriques, ce qui est essentiel pour un flux de travail efficace d’analyse des défaillances par microscopie électronique à transmission.
Analyse et imagerie par TEM des semi-conducteurs
Les microscopes électroniques à transmission Thermo Fisher Scientific offrent une analyse et une imagerie haute résolution des dispositifs semi-conducteurs, ce qui permet aux fabricants d’étalonner les ensembles d’outils, de diagnostiquer les mécanismes de défaillance et d’optimiser les rendements globaux des processus.
Préparation des échantillons de dispositifs semi-conducteurs
Les systèmes DualBeam Thermo Scientific fournissent une préparation des échantillons par TEM précise pour l’analyse à l’échelle atomique des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies d’automatisation et d’apprentissage automatique avancé produisent des échantillons de haute qualité, au bon emplacement, et à un faible coût par échantillon.
Analyse et imagerie des semi-conducteurs
Thermo Fisher Scientific propose des microscopes électroniques à balayage pour chaque fonction d’un laboratoire de semi-conducteurs, des tâches d’imagerie générales aux techniques d’analyse de défaillances avancées nécessitant des mesures précises du contraste de tension.
Isolement des pannes thermiques
Une répartition inégale de la dissipation d’énergie locale peut entraîner de grandes augmentations localisées de la température, ce qui entraîne une défaillance du dispositif. Nous proposons des solutions uniques pour l’isolement des pannes thermiques grâce à la thermographie infrarouge à verrouillage haute sensibilité (LIT).
Préparation des échantillons par APT
La tomographie par sonde atomique (APT) fournit une analyse de composition 3D à résolution atomique des matériaux. La microscopie par faisceau d’ions focalisé (FIB) est une technique essentielle pour la préparation d’échantillons spécifique au site, orientée et de haute qualité pour la caractérisation de l’APT.
Ablation par laser des semi-conducteurs
L’ablation par laser permet la mouture à haut débit de dispositifs semi-conducteurs pour l’imagerie et l’analyse par microscopie électronique tout en conservant l’intégrité des échantillons. Accédez à des données 3D à grand volume et optimisez les conditions de mouture afin de les adapter au mieux à votre type d’échantillon.
Déstratification des dispositifs
La réduction de la taille des caractéristiques, ainsi que la conception et l’architecture avancées, donne lieu à une analyse des défaillances de plus en plus difficile pour les semi-conducteurs. La déstratification des dispositifs sans dommages est une technique essentielle pour la détection des pannes et défaillances électriques intégrées.
Nanosondage
À mesure que la complexité des dispositifs augmente, le nombre d’endroits où les défauts peuvent se cacher augmente également. Le nanosondage fournit la localisation précise des pannes électriques, ce qui est essentiel pour un flux de travail efficace d’analyse des défaillances par microscopie électronique à transmission.
Analyse et imagerie par TEM des semi-conducteurs
Les microscopes électroniques à transmission Thermo Fisher Scientific offrent une analyse et une imagerie haute résolution des dispositifs semi-conducteurs, ce qui permet aux fabricants d’étalonner les ensembles d’outils, de diagnostiquer les mécanismes de défaillance et d’optimiser les rendements globaux des processus.
Préparation des échantillons de dispositifs semi-conducteurs
Les systèmes DualBeam Thermo Scientific fournissent une préparation des échantillons par TEM précise pour l’analyse à l’échelle atomique des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies d’automatisation et d’apprentissage automatique avancé produisent des échantillons de haute qualité, au bon emplacement, et à un faible coût par échantillon.
Isolement des pannes thermiques
Une répartition inégale de la dissipation d’énergie locale peut entraîner de grandes augmentations localisées de la température, ce qui entraîne une défaillance du dispositif. Nous proposons des solutions uniques pour l’isolement des pannes thermiques grâce à la thermographie infrarouge à verrouillage haute sensibilité (LIT).
Préparation des échantillons par APT
La tomographie par sonde atomique (APT) fournit une analyse de composition 3D à résolution atomique des matériaux. La microscopie par faisceau d’ions focalisé (FIB) est une technique essentielle pour la préparation d’échantillons spécifique au site, orientée et de haute qualité pour la caractérisation de l’APT.
Ablation par laser des semi-conducteurs
L’ablation par laser permet la mouture à haut débit de dispositifs semi-conducteurs pour l’imagerie et l’analyse par microscopie électronique tout en conservant l’intégrité des échantillons. Accédez à des données 3D à grand volume et optimisez les conditions de mouture afin de les adapter au mieux à votre type d’échantillon.
Déstratification des dispositifs
La réduction de la taille des caractéristiques, ainsi que la conception et l’architecture avancées, donne lieu à une analyse des défaillances de plus en plus difficile pour les semi-conducteurs. La déstratification des dispositifs sans dommages est une technique essentielle pour la détection des pannes et défaillances électriques intégrées.
Caractérisation des dispositifs et matériaux semi-conducteurs
À mesure que les dispositifs semi-conducteurs rétrécissent et deviennent plus complexes, de nouvelles conceptions et structures sont nécessaires. Les flux de travaux d’analyse 3D à haute productivité peuvent raccourcir la durée de développement des dispositifs, optimiser le rendement et s’assurer que les dispositifs répondent aux besoins futurs de l’industrie.
Style Sheet for Instrument Cards Original
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