As semiconductor device design approaches smaller nodes, it becomes more and more difficult to ramp manufacturing yields. These smaller nodes, as well as more complex 3D architectures, result in added steps and more complexity in the design process. Hundreds of steps are involved, and any defect or electrical fault that occurs in any one step will slow down the total production time. Since time-to-market and time-to-yield are both crucial for the commercial success of any new semiconductor design, metrology and inspection tools are needed to make sure each of these steps is optimized. This ensures the maximum yield can be guaranteed and maintained.

Yield analysis must be carried out as quickly and as inexpensively as possible. However, given the many steps involved in device manufacture, this can often be an extremely challenging proposition. For example, in an advanced logic device, many different measurements need to be taken, such as the finFET gate height, fin height, and sidewall angle. Performing these measurements in a cost-effective and timely manner requires advanced characterization tools designed specifically for semiconductor analysis. By using automated SEM or (S)TEM based metrology instruments, manufacturers can provide accurate and timely semiconductor inspection, lower manufacturing costs, and shorten the product development cycle.

Thermo Fisher Scientific offers a suite of next-generation products with advanced analytical capabilities for semiconductor metrology and inspection. These solutions are designed to help increase productivity in semiconductor fabrication labs by improving quality control and yield in the manufacture of logic, 3D NAND, DRAM, analog, power and display devices.

Semiconductor metrology & yield ramp workflow examples

 

 

 


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Techniques

Thermische Fehlerisolierung

Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).

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TEM-Messtechnik

Fortschrittliche und automatisierte TEM-Messroutinen liefern eine deutlich höhere Präzision als manuelle Methoden. Dadurch können Anwender große Mengen statistisch relevanter Daten mit Spezifität im Sub-Angstrom-Bereich erzeugen, die frei von Bedienereinflüssen ist.

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Probenvorbereitung von Halbleiterbauelementen

Thermo Scientific DualBeam Systeme bieten genaue eine TEM-Probenvorbereitung für die Analyse von Halbleiterbauelementen im atomaren Maßstab. Automatisierung und fortschrittliche Machine-Learning-Methoden erzeugen qualitativ hochwertige Proben am richtigen Ort und zu niedrigen Kosten pro Probe.

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SEM-Messtechnik

Die Rasterelektronenmikroskopie liefert präzise und zuverlässige Metrologiedaten im Nanometerbereich. Die automatisierte REM-Messtechnik mit ultrahoher Auflösung ermöglicht eine schnellere Ausbeute (Time-to-Yield) und Markteinführung (Time-to-Market) für Speicher-, Logik- und Datenspeicheranwendungen.

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Bildgebung und Analyse von Halbleitern

Thermo Fisher Scientific bietet Rasterelektronenmikroskope für jede Funktion eines Halbleiterlabors, von allgemeinen Bildgebungsaufgaben bis hin zu fortschrittlichen Fehleranalyseverfahren, die präzise Spannungskontrastmessungen erfordern.

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Entschichtung von Bauelementen

Immer kleinere Bauelemente und fortschrittliches Design und Architektur führen zu immer größeren Herausforderungen bei der Fehleranalyse von Halbleitern. Die schadensfreie Entschichtung von Bauelementen ist ein wichtiges Verfahren für die Erkennung von verborgenen elektrischen Fehlern und Ausfällen.

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Thermische Fehlerisolierung

Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).

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TEM-Messtechnik

Fortschrittliche und automatisierte TEM-Messroutinen liefern eine deutlich höhere Präzision als manuelle Methoden. Dadurch können Anwender große Mengen statistisch relevanter Daten mit Spezifität im Sub-Angstrom-Bereich erzeugen, die frei von Bedienereinflüssen ist.

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Probenvorbereitung von Halbleiterbauelementen

Thermo Scientific DualBeam Systeme bieten genaue eine TEM-Probenvorbereitung für die Analyse von Halbleiterbauelementen im atomaren Maßstab. Automatisierung und fortschrittliche Machine-Learning-Methoden erzeugen qualitativ hochwertige Proben am richtigen Ort und zu niedrigen Kosten pro Probe.

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SEM-Messtechnik

Die Rasterelektronenmikroskopie liefert präzise und zuverlässige Metrologiedaten im Nanometerbereich. Die automatisierte REM-Messtechnik mit ultrahoher Auflösung ermöglicht eine schnellere Ausbeute (Time-to-Yield) und Markteinführung (Time-to-Market) für Speicher-, Logik- und Datenspeicheranwendungen.

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Bildgebung und Analyse von Halbleitern

Thermo Fisher Scientific bietet Rasterelektronenmikroskope für jede Funktion eines Halbleiterlabors, von allgemeinen Bildgebungsaufgaben bis hin zu fortschrittlichen Fehleranalyseverfahren, die präzise Spannungskontrastmessungen erfordern.

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Entschichtung von Bauelementen

Immer kleinere Bauelemente und fortschrittliches Design und Architektur führen zu immer größeren Herausforderungen bei der Fehleranalyse von Halbleitern. Die schadensfreie Entschichtung von Bauelementen ist ein wichtiges Verfahren für die Erkennung von verborgenen elektrischen Fehlern und Ausfällen.

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Samples


Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen

Da Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, werden neue Designs und Strukturen benötigt. Arbeitsabläufe für hochproduktive 3D-Analysen können die Entwicklungszeit von Bauelementen verkürzen, die Ausbeute maximieren und sicherstellen, dass Bauelemente die zukünftigen Anforderungen der Branche erfüllen.

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Products

Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten

Helios 5 PFIB DualBeam

  • Galliumfreie STEM- und TEM-Probenvorbereitung
  • Multimodale Untergrund- und 3D-Informationen
  • 2,5-μA-Xenonplasma-FIB-Säule der nächsten Generation

Helios 5 DualBeam

  • Vollautomatische, hochwertige, ultradünne TEM-Probenvorbereitung
  • Hohe Durchsatzleistung, hochauflösende Untergrund- und 3D-Charakterisierung
  • Schnelle Nanoprototyping-Funktionen

Metrios AX TEM

  • Automatisierungsoptionen zur Unterstützung von Qualität, Konsistenz, Metrologie und reduzierten Betriebskosten
  • Verwendet maschinelles Lernen für überlegene automatische Funktionen und Funktionserkennung
  • Arbeitsabläufe für die In-situ- und Ex-situ-Lamellenpräparation

SCIOS 2 DualBeam

  • Umfassende Unterstützung von magnetischen und nicht leitenden Proben
  • Untergrund- und 3D-Charakterisierung im Hochdurchsatz
  • Erweiterte Anwenderfreundlichkeit und Automatisierungsfunktionen

ExSolve WTP DualBeam

  • Kann ortsspezifische, 20 nm dicke Lamellen auf ganzen Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 300 mm vorbereiten
  • Deckt den Bedarf an automatisierten Hochdurchsatzprobenahmen an Knotenpunkten zu fortschrittlichen Technologien

Verios 5 XHR SEM

  • Monochromatisierte REM-Technologie für eine Auflösung im Subnanometerbereich über den gesamten Energiebereich von 1 bis 30 keV
  • Einfacher Zugang zu Kathodenstrahlenergien von nur 20 eV
  • Ausgezeichnete Stabilität mit Piezo-Tisch als Standard

Quattro ESEM

  • Extrem vielseitiges, hochauflösendes FEG-REM mit einzigartiger Umweltfreundlichkeit (ESEM)
  • Alle Informationen aus allen Proben bei gleichzeitiger SE- und BSE-Bildgebung in jeder Betriebsart beobachten

Prisma E REM

  • Einstiegs-REM mit ausgezeichneter Bildqualität
  • Einfache und schnelle Probenladung und Navigation für mehrere Proben
  • Dank speziell dafür vorgesehener Vakuummodi mit einer Vielzahl von Materialien kompatibel

Apreo 2 REM

  • Hochleistungs-REM für eine Allround-Auflösung im Nanometer- oder Subnanometer-Bereich
  • T1-Rückstreudetektor in der Säule für empfindlichen Materialkontrast mit TV-Rate
  • Hervorragende Leistung bei langen Arbeitsabständen (10 mm)

Phenom ProX G6 Desktop-REM

  • Hochleistungsfähiges Desktop-REM mit integriertem EDS-Detektor
  • Auflösung < 6 nm (SE) und < 8 nm (BSE); Vergrößerung bis zu 350.000-fach
  • Optionaler SE-Detektor

ELITE System

  • Völlig zerstörungsfrei
  • Erkennt schnell defekte Komponenten auf der Montageplatine für eine genaue Disposition
  • Lokalisiert Fehler in x-y mit Mikrometergenauigkeit, wobei die Tiefenposition bis zu 20 µm genau ist

AutoTEM 5

  • Vollautomatische In-situ-R/TEM-Probenvorbereitung
  • Unterstützung für Top-down-, planare und invertierte Geometrien
  • Hochgradig konfigurierbarer Arbeitsablauf
  • Anwenderfreundliche, intuitive Benutzeroberfläche

Auto Slice and View 4.0 Software

  • Automatisierte serielle Schnittführung für DualBeam
  • Multimodale Datenerfassung (REM, EDS, EBSD)
  • Echtzeit-Bearbeitungsfunktionen
  • Kantenbasierte Schnittplatzierung

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