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반도체 소자는 더 빠른 속도, 더 짧은 생산 시간, 시장 출시 시간 등에 대한 요구로 인해 점점 더 복잡해지고 있습니다. 옹스트롬 미만의 정확도로 통계적으로 관련성 있는 데이터를 생성하기 위해 매우 특이적인 측정이 필요하기 때문에, 주사 투과 전자현미경 (S)TEM 계측은 모든 최첨단 웨이퍼 제조 워크플로우에서 필수 요소가 되었습니다. 이 데이터를 통해 제조업체는 도구세트를 보정하고, 고장 메커니즘을 진단하며, 전체 공정 수율을 최적화할 수 있습니다.
Thermo Fisher Scientific은 필요에 따라 수동, 반자동 또는 전자동 솔루션을 제공할 수 있는 충분히 유연한 계측 워크플로우를 제공합니다. Thermo Scientific Metrios AX 시스템은 반도체 제조업체가 웨이퍼 제조 공정을 개발하고 관리하는 데 필요한 빠르고 정확한 측정을 제공할 수 있도록 설계된 최초의 TEM입니다. 자세한 내용은 아래 Metrios 제품 페이지를 참조하십시오.
TEM 계측 워크플로우 예
300mm post-lithography (EUV exposure) 및 post-etch 웨이퍼에서 line roughness (LER/LWR)를 평가하는 데 사용되는 STEM 계측의 예. 이것은 10nm 기술 노드를 위한 게이트 핀(gate fins)을 생성하는 데 사용되는 다단계 패터닝 공정의 일부를 모방합니다.
300mm post-lithography (EUV exposure) 및 post-etch 웨이퍼에서 line roughness (LER/LWR)를 평가하는 데 사용되는 STEM 계측의 예. 이것은 10nm 기술 노드를 위한 게이트 핀(gate fins)을 생성하는 데 사용되는 다단계 패터닝 공정의 일부를 모방합니다.
평면 절단 3D NAND 메모리 비트의 에너지 분산 X선 분광법(EDS) 원소 맵에서 추출한 계측으로, poly-Si 채널의 원형 치수, 블로킹 옥사이드, 터널 옥사이드 및 Si3N4 트랩 레이어를 측정합니다.
두 가지 중요한 공정 에칭 단계와 관련이 있는 게이트 옥사이드 치수와 핀 높이를 측정하기 위해 14-nm fin-cut 시료에 대해 수행된 자동화 계측 측정의 예.
300mm post-lithography (EUV exposure) 및 post-etch 웨이퍼에서 line roughness (LER/LWR)를 평가하는 데 사용되는 STEM 계측의 예. 이것은 10nm 기술 노드를 위한 게이트 핀(gate fins)을 생성하는 데 사용되는 다단계 패터닝 공정의 일부를 모방합니다.
평면 절단 3D NAND 메모리 비트의 에너지 분산 X선 분광법(EDS) 원소 맵에서 추출한 계측으로, poly-Si 채널의 원형 치수, 블로킹 옥사이드, 터널 옥사이드 및 Si3N4 트랩 레이어를 측정합니다.
두 가지 중요한 공정 에칭 단계와 관련이 있는 게이트 옥사이드 치수와 핀 높이를 측정하기 위해 14-nm fin-cut 시료에 대해 수행된 자동화 계측 측정의 예.
반도체 경로탐색(Pathfinding) 및 개발
고성능 반도체 장치의 제조에 필요한 실행 가능한 솔루션과 설계 방법을 확인하기 위한 고급 전자 현미경 검사, 집속 이온빔 및 관련 분석 기법.
물리적 및 화학적 특성 분석
지속적인 소비자 수요는 더 작고 빠르며 저렴한 전자 장치를 만들도록 촉진합니다. 그 생산은 광범위한 반도체 및 디스플레이 장치를 이미지화, 분석 및 특성 분석하는 고생산성 기기 및 워크플로우에 의존합니다.
수율 경사 및 계측
당사에서는 다양한 반도체 응용 분야와 장치의 생산성을 높이고 수율을 높일 수 있도록 설계된 결함 분석, 계측 및 공정 관리를 위한 고급 분석 기능을 제공합니다.
반도체 물질 및 장치 특성 분석
반도체 장치가 축소되고 복잡해짐에 따라 새로운 설계와 구조를 필요로 하게 되었습니다. 고생산성의 3D 분석 워크플로우는 장치 개발 시간을 단축하고 수율을 극대화할 수 있으며, 장치가 산업의 향후 요구 사항에 부합되도록 보장합니다.
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