Search
Semiconductor Analysis
Optical Fault Isolation
Semiconductor fault isolation techniques that enable failure analysis labs to localize electrical faults in devices.
Join the Conversation
48ab - Appl/Samples/Products/Resources/Contact
Troubleshooting semiconductor device failure is critical for improving manufacturing yield, reducing costs, and minimizing overall end-of-line test failures. However, isolating faults and defects (e.g. opens, metal shorts, and leakages) in the failure analysis workflow is becoming more challenging due to increasingly complex semiconductor designs.
Optical fault isolation (OFI) is a type of electrical failure analysis that makes use of a variety of optical techniques (photon-emission, static laser stimulation, etc.) to detect the causes of device failure.
This can include both static and dynamic OFI:
Formatvorlage für Produkttabellen-Spezifikationen
| Static OFI techniques | Dynamic OFI techniques |
|---|---|
| Optical beam Induced resistance change (OBIRCH) | Laser voltage imaging (LVI) |
| Optical beam induced current (OBIC) | Laser Voltage Probing (LVP) |
| Light induced voltage alteration (LIVA) | Laser voltage tracing (LVT) |
| Thermally induced voltage alteration (TIVA) | Laser-assisted device alteration (LADA) |
| Static photon emission (PEM) | Soft defect localization (SDL) |
| Dynamic photon emission (PEM) |
Broadly, these techniques allow the user to analyze the performance of electrically active devices and locate critical defects that cause a device to fail. Understanding these defects, and then eliminating them from the manufacturing process, is crucial if modern fabs are to operate at high yield and profitability.
Thermo Fisher Scientific offers a variety of optical fault isolation systems as part of the Meridian product line. This includes all of the above OFI techniques, encompassing systems for both photon emission and laser stimulation applications. The Meridian product line consists of cost-effective, high-sensitivity solutions for localizing electrical failures in semiconductor devices, and is especially powerful when combined with other analysis workflows and solutions from Thermo Fisher Scientific's portfolio. Click through to the appropriate product pages below for more information.
Semiconductor optical fault isolation workflow example
Static photon emission signature
Two pin static optical fault isolation probing.
Laser voltage probing waveform in optical fault isolation.
Automated Test equipment (ATE) docked to a Meridian system for Dynamic OFI analysis.
Static photon emission signature
Two pin static optical fault isolation probing.
Laser voltage probing waveform in optical fault isolation.
Automated Test equipment (ATE) docked to a Meridian system for Dynamic OFI analysis.
Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern
Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.
Ausbeutesteigerung und Metrologie
Wir bieten fortschrittliche Analysemöglichkeiten für die Fehleranalyse, Metrologie und Prozesskontrolle, die die Produktivität erhöhen und die Ausbeute bei zahlreichen Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauelementen verbessern.
Fehleranalyse von Halbleitern
Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.
Physikalische und chemische Charakterisierung
Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.
ESD-Halbleiterqualifizierung
Jeder Kontrollplan für elektrostatische Entladung (ESD) muss Geräte identifizieren können, die empfindlich auf elektrostatische Entladung reagieren. Wir bieten ein komplettes Angebot von Testsystemen für die Qualifizierung Ihrer Geräte.
Analyse von Leistungshalbleitern
Leistungshalbleiter stellen besondere Herausforderungen für die Lokalisierung von Fehlern dar, vor allem aufgrund der Architektur und des Aufbaus von Leistungshalbleitern. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Analyse von Leistungshalbleitern ermöglichen unter Betriebsbedingungen eine schnelle Bestimmung des Fehlerorts sowie eine präzise Hochdurchsatzanalyse zur Charakterisierung von Materialien, Schnittstellen und Bauelementstrukturen.
Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen
Da Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, werden neue Designs und Strukturen benötigt. Arbeitsabläufe für hochproduktive 3D-Analysen können die Entwicklungszeit von Bauelementen verkürzen, die Ausbeute maximieren und sicherstellen, dass Bauelemente die zukünftigen Anforderungen der Branche erfüllen.
Style Sheet for Komodo Tabs
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten
