The Thermo Scientific Meridian S System is designed to perform inverted photon emission (EMMI) and laser scanning microscopy analysis on devices stimulated by static bias via probe card or micro-probes. With the overall cost of ownership for the system being a critical aspect of profitability, the Meridian S System offers a range of photon emission options, dual-side probing flexibility and an upgrade path to dynamic optical fault isolation capabilities such as laser voltage imaging/probing and soft defect localization.

The Meridian S System is designed for use in failure analysis labs worldwide, aiding in:

  • Identification of systematic process, design or integration issues
  • Isolation of root cause for random electrical failures

Key Features

Fault Diagnostic with Active Probe Technology

High-sensitivity, lock-in capable, noise-eliminating static laser stimulation/optical beam induced resistance change (SLS/OBIRCH) detection enabled by Fault Diagnostic with Active Probe Technology.

Photon emission

Photon emission options spanning a range of sensitivity requirements for isolating shorts, detecting areas of excess leakage, and mapping active regions.

Ease-of use

Probing setup and software designed for ease-of-use and productivity.

Scalable and upgradable

Fully scalable and upgradable optical platform.


Specifications

Formatvorlage für Produkttabellen-Spezifikationen

Inverted optical system

Combo system: LSM + PEM standard, with optional LSM-only or PEM-only configurations

220VAC, 50Hz/60Hz

Standard 9” x 9” load board interface, plus customizable alternatives

Dual-side microprobing and Probe Card configurations available

Stage repeatability ≤2μm

Optional laser marker for defect redetection


Applications

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Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern

Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.

Fehleranalyse von Halbleitern

Fehleranalyse von Halbleitern

Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.


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Techniques

Optische Fehlerisolierung

Immer komplexere Konstruktionen erschweren die Isolierung von Fehlern und Defekten in der Halbleiterfertigung. Mit Verfahren der optischen Fehlerisolierung können Sie die Leistung von elektrisch aktiven Geräten analysieren, um systemrelevante Defekte zu finden, die zu einem Geräteausfall führen.

Weitere Informationen ›

Optische Fehlerisolierung

Immer komplexere Konstruktionen erschweren die Isolierung von Fehlern und Defekten in der Halbleiterfertigung. Mit Verfahren der optischen Fehlerisolierung können Sie die Leistung von elektrisch aktiven Geräten analysieren, um systemrelevante Defekte zu finden, die zu einem Geräteausfall führen.

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