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Semiconductor Analysis
Semiconductor Failure Analysis
Failure analysis and defect localization for semiconductor devices to achieve higher yield and faster time-to-data.
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As the dimensions of semiconductor device structures shrink and become more complex, defect localization and failure analysis become more critical, and more challenging. High-density interconnects, wafer-level stacking, flexible electronics, and integral substrates mean that failure-inducing defects have more places to hide. Even worse, these failures can occur at the device packaging stage, resulting in an intolerable loss of yield and an increase in time-to-market.
Advanced analytical tools are essential for the detection of any electrical defects that can negatively influence yield, reliability, or performance. With the right equipment, the time and cost associated with electrical fault isolation can be reduced by quickly extracting comprehensive defect data from the sample.
Thermo Fisher Scientific offers advanced analytical tools for fast physical and electrical failure analysis. Our workflows allow you to localize and characterize subtle electrical issues that affect yield, performance, and reliability. Click through to our technique or product pages for additional information.
Semiconductor defect localization and analysis workflow examples
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Isolement des pannes optiques
Les conceptions de plus en plus complexes compliquent l’isolement des pannes et des défauts dans la fabrication de semi-conducteurs. Les techniques d’isolement des pannes optiques vous permettent d’analyser les performances des dispositifs électriquement actifs pour localiser les défauts critiques qui provoquent une défaillance du dispositif.
Isolement des pannes thermiques
Une répartition inégale de la dissipation d’énergie locale peut entraîner de grandes augmentations localisées de la température, ce qui entraîne une défaillance du dispositif. Nous proposons des solutions uniques pour l’isolement des pannes thermiques grâce à la thermographie infrarouge à verrouillage haute sensibilité (LIT).
Analyse et imagerie par TEM des semi-conducteurs
Les microscopes électroniques à transmission Thermo Fisher Scientific offrent une analyse et une imagerie haute résolution des dispositifs semi-conducteurs, ce qui permet aux fabricants d’étalonner les ensembles d’outils, de diagnostiquer les mécanismes de défaillance et d’optimiser les rendements globaux des processus.
Analyse et imagerie des semi-conducteurs
Thermo Fisher Scientific propose des microscopes électroniques à balayage pour chaque fonction d’un laboratoire de semi-conducteurs, des tâches d’imagerie générales aux techniques d’analyse de défaillances avancées nécessitant des mesures précises du contraste de tension.
Nanosondage
À mesure que la complexité des dispositifs augmente, le nombre d’endroits où les défauts peuvent se cacher augmente également. Le nanosondage fournit la localisation précise des pannes électriques, ce qui est essentiel pour un flux de travail efficace d’analyse des défaillances par microscopie électronique à transmission.
Ablation par laser des semi-conducteurs
L’ablation par laser permet la mouture à haut débit de dispositifs semi-conducteurs pour l’imagerie et l’analyse par microscopie électronique tout en conservant l’intégrité des échantillons. Accédez à des données 3D à grand volume et optimisez les conditions de mouture afin de les adapter au mieux à votre type d’échantillon.
Préparation des échantillons par APT
La tomographie par sonde atomique (APT) fournit une analyse de composition 3D à résolution atomique des matériaux. La microscopie par faisceau d’ions focalisé (FIB) est une technique essentielle pour la préparation d’échantillons spécifique au site, orientée et de haute qualité pour la caractérisation de l’APT.
Déstratification des dispositifs
La réduction de la taille des caractéristiques, ainsi que la conception et l’architecture avancées, donne lieu à une analyse des défaillances de plus en plus difficile pour les semi-conducteurs. La déstratification des dispositifs sans dommages est une technique essentielle pour la détection des pannes et défaillances électriques intégrées.
Tests de conformité des ESD
Les décharges électrostatiques (ESD) peuvent endommager les petites caractéristiques et structures des semi-conducteurs et des circuits intégrés. Nous proposons une suite complète d’équipements de test qui vérifie que vos dispositifs répondent aux normes de conformité des ESD ciblées.
Isolement des pannes optiques
Les conceptions de plus en plus complexes compliquent l’isolement des pannes et des défauts dans la fabrication de semi-conducteurs. Les techniques d’isolement des pannes optiques vous permettent d’analyser les performances des dispositifs électriquement actifs pour localiser les défauts critiques qui provoquent une défaillance du dispositif.
Isolement des pannes thermiques
Une répartition inégale de la dissipation d’énergie locale peut entraîner de grandes augmentations localisées de la température, ce qui entraîne une défaillance du dispositif. Nous proposons des solutions uniques pour l’isolement des pannes thermiques grâce à la thermographie infrarouge à verrouillage haute sensibilité (LIT).
Analyse et imagerie par TEM des semi-conducteurs
Les microscopes électroniques à transmission Thermo Fisher Scientific offrent une analyse et une imagerie haute résolution des dispositifs semi-conducteurs, ce qui permet aux fabricants d’étalonner les ensembles d’outils, de diagnostiquer les mécanismes de défaillance et d’optimiser les rendements globaux des processus.
Analyse et imagerie des semi-conducteurs
Thermo Fisher Scientific propose des microscopes électroniques à balayage pour chaque fonction d’un laboratoire de semi-conducteurs, des tâches d’imagerie générales aux techniques d’analyse de défaillances avancées nécessitant des mesures précises du contraste de tension.
Nanosondage
À mesure que la complexité des dispositifs augmente, le nombre d’endroits où les défauts peuvent se cacher augmente également. Le nanosondage fournit la localisation précise des pannes électriques, ce qui est essentiel pour un flux de travail efficace d’analyse des défaillances par microscopie électronique à transmission.
Ablation par laser des semi-conducteurs
L’ablation par laser permet la mouture à haut débit de dispositifs semi-conducteurs pour l’imagerie et l’analyse par microscopie électronique tout en conservant l’intégrité des échantillons. Accédez à des données 3D à grand volume et optimisez les conditions de mouture afin de les adapter au mieux à votre type d’échantillon.
Préparation des échantillons par APT
La tomographie par sonde atomique (APT) fournit une analyse de composition 3D à résolution atomique des matériaux. La microscopie par faisceau d’ions focalisé (FIB) est une technique essentielle pour la préparation d’échantillons spécifique au site, orientée et de haute qualité pour la caractérisation de l’APT.
Déstratification des dispositifs
La réduction de la taille des caractéristiques, ainsi que la conception et l’architecture avancées, donne lieu à une analyse des défaillances de plus en plus difficile pour les semi-conducteurs. La déstratification des dispositifs sans dommages est une technique essentielle pour la détection des pannes et défaillances électriques intégrées.
Tests de conformité des ESD
Les décharges électrostatiques (ESD) peuvent endommager les petites caractéristiques et structures des semi-conducteurs et des circuits intégrés. Nous proposons une suite complète d’équipements de test qui vérifie que vos dispositifs répondent aux normes de conformité des ESD ciblées.
Caractérisation des dispositifs et matériaux semi-conducteurs
À mesure que les dispositifs semi-conducteurs rétrécissent et deviennent plus complexes, de nouvelles conceptions et structures sont nécessaires. Les flux de travaux d’analyse 3D à haute productivité peuvent raccourcir la durée de développement des dispositifs, optimiser le rendement et s’assurer que les dispositifs répondent aux besoins futurs de l’industrie.
Style Sheet for Instrument Cards Original
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