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Semiconductor Analysis
Semiconductor Failure Analysis
Failure analysis and defect localization for semiconductor devices to achieve higher yield and faster time-to-data.
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As the dimensions of semiconductor device structures shrink and become more complex, defect localization and failure analysis become more critical, and more challenging. High-density interconnects, wafer-level stacking, flexible electronics, and integral substrates mean that failure-inducing defects have more places to hide. Even worse, these failures can occur at the device packaging stage, resulting in an intolerable loss of yield and an increase in time-to-market.
Advanced analytical tools are essential for the detection of any electrical defects that can negatively influence yield, reliability, or performance. With the right equipment, the time and cost associated with electrical fault isolation can be reduced by quickly extracting comprehensive defect data from the sample.
Thermo Fisher Scientific offers advanced analytical tools for fast physical and electrical failure analysis. Our workflows allow you to localize and characterize subtle electrical issues that affect yield, performance, and reliability. Click through to our technique or product pages for additional information.
Semiconductor defect localization and analysis workflow examples
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광학적 고장 분리
점점 더 복잡해지는 설계는 반도체 제조 과정에서 장애와 결함 분리를 복잡하게 만듭니다. 광학적 고장 분리 기술을 사용하면 전기적 활성 장치의 성능을 분석하여 장치의 고장을 일으키는 주요 결함의 위치를 찾을 수 있습니다.
열 고장 분리
로컬 전력 소실의 불균등한 분포는 로컬 온도를 크게 상승시켜 장치 고장을 유발할 수 있습니다. 고감도 LIT(lock-in infrared thermography)에 의해 열 고장 분리를 위한 고유한 솔루션을 제공합니다.
반도체 TEM 이미지 생성 및 분석
Thermo Fisher Scientific 투과 전자 현미경은 반도체 장치의 고분해능 이미지 생성 및 분석 기능을 제공함으로써, 제조업체에서 도구 세트를 보정하고 고장 메커니즘을 진단하며 전체 공정 수율을 최적화할 수 있도록 해줍니다.
반도체 분석 및 이미징
Thermo Fisher Scientific은 일반적인 이미지 생성 작업에서 정밀도 높은 전압 대비 측정이 필요한 고급 고장 분석 기술에 이르까지 반도체 실험실의 모든 기능을 위한 주사전자현미경을 제공합니다.
나노탐침
장치의 복잡성이 증가함에 따라 결함을 숨겨야 하는 부분의 수도 증가합니다. 나노탐침은 효과적인 투과 전자 현미경 불량 분석 워크플로우에서 중요한 전기 고장의 정확한 위치 측정 기능을 제공합니다.
반도체 레이저 절제
레이저 절제 기능은 전자 현미경의 이미지 생성 및 분석에서 반도체 장치의 고처리량 밀링을 제공하는 동시에, 시료의 무결성을 유지해 줍니다. 대용량 3D 데이터에 접근하고 시료 유형에 가장 적합한 밀링 조건으로 최적합니다.
APT 시료 준비
원자 프로브 단층촬영(APT)은 물질의 원자 분해능 3D 조성 분석 기능을 제공합니다. 집속 이온 빔(FIB) 현미경법은 APT 특성 분석을 위한 고품질, 방향 설정, 위치-특이적인 시료 준비를 위한 필수 기법입니다.
장치 층 제거
기능 크기 축소는 첨단 설계 및 아키텍처와 함께 반도체에 대한 불량 분석을 점차 까다로워지게 하는 결과를 가져옵니다. 장치의 손상 없는 층 제거는 전기적 결함 및 고장을 감지하기 위한 중요한 기법입니다.
ESD 규정 준수성 검사
정전기 방출(ESD)은 반도체와 집적 회로의 작은 특성 및 구조를 손상시킬 수 있습니다. 당사에서는 기기가 표적 ESD 규정 준수 표준을 준수하는지 검증하는 종합적인 검사 장비 세트를 제공합니다.
광학적 고장 분리
점점 더 복잡해지는 설계는 반도체 제조 과정에서 장애와 결함 분리를 복잡하게 만듭니다. 광학적 고장 분리 기술을 사용하면 전기적 활성 장치의 성능을 분석하여 장치의 고장을 일으키는 주요 결함의 위치를 찾을 수 있습니다.
열 고장 분리
로컬 전력 소실의 불균등한 분포는 로컬 온도를 크게 상승시켜 장치 고장을 유발할 수 있습니다. 고감도 LIT(lock-in infrared thermography)에 의해 열 고장 분리를 위한 고유한 솔루션을 제공합니다.
반도체 TEM 이미지 생성 및 분석
Thermo Fisher Scientific 투과 전자 현미경은 반도체 장치의 고분해능 이미지 생성 및 분석 기능을 제공함으로써, 제조업체에서 도구 세트를 보정하고 고장 메커니즘을 진단하며 전체 공정 수율을 최적화할 수 있도록 해줍니다.
반도체 분석 및 이미징
Thermo Fisher Scientific은 일반적인 이미지 생성 작업에서 정밀도 높은 전압 대비 측정이 필요한 고급 고장 분석 기술에 이르까지 반도체 실험실의 모든 기능을 위한 주사전자현미경을 제공합니다.
나노탐침
장치의 복잡성이 증가함에 따라 결함을 숨겨야 하는 부분의 수도 증가합니다. 나노탐침은 효과적인 투과 전자 현미경 불량 분석 워크플로우에서 중요한 전기 고장의 정확한 위치 측정 기능을 제공합니다.
반도체 레이저 절제
레이저 절제 기능은 전자 현미경의 이미지 생성 및 분석에서 반도체 장치의 고처리량 밀링을 제공하는 동시에, 시료의 무결성을 유지해 줍니다. 대용량 3D 데이터에 접근하고 시료 유형에 가장 적합한 밀링 조건으로 최적합니다.
APT 시료 준비
원자 프로브 단층촬영(APT)은 물질의 원자 분해능 3D 조성 분석 기능을 제공합니다. 집속 이온 빔(FIB) 현미경법은 APT 특성 분석을 위한 고품질, 방향 설정, 위치-특이적인 시료 준비를 위한 필수 기법입니다.
장치 층 제거
기능 크기 축소는 첨단 설계 및 아키텍처와 함께 반도체에 대한 불량 분석을 점차 까다로워지게 하는 결과를 가져옵니다. 장치의 손상 없는 층 제거는 전기적 결함 및 고장을 감지하기 위한 중요한 기법입니다.
ESD 규정 준수성 검사
정전기 방출(ESD)은 반도체와 집적 회로의 작은 특성 및 구조를 손상시킬 수 있습니다. 당사에서는 기기가 표적 ESD 규정 준수 표준을 준수하는지 검증하는 종합적인 검사 장비 세트를 제공합니다.
반도체 물질 및 장치 특성 분석
반도체 장치가 축소되고 복잡해짐에 따라 새로운 설계와 구조를 필요로 하게 되었습니다. 고생산성의 3D 분석 워크플로우는 장치 개발 시간을 단축하고 수율을 극대화할 수 있으며, 장치가 산업의 향후 요구 사항에 부합되도록 보장합니다.
Style Sheet for Cards
기기 카드 원본 스타일시트
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class