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Semiconductor Analysis
Semiconductor Device Characterization
Semiconductor imaging, analysis and characterization.
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The electronics market is under constant consumer pressure to develop smaller, faster, cheaper, and more energy-efficient devices. This requires semiconductor designs that have smaller and smaller structural dimensions, with shorter time-to-yield and time-to-market. Unfortunately, most common technologies and workflows are inadequate for characterizing these smaller features.
As a result, novel and high productivity transmission electron microscope (TEM) workflows are needed to image and analyze the next generation of semiconductor device structures. Advanced characterization of these devices can help you deliver on necessary performance, predict and control structural, physical, and chemical properties, as well as correlate your characterization data to parametric test results.
Thermo Fisher Scientific offers workflows for the high-productivity characterization of parameters that directly affect device yield, performance, and reliability. This includes physical, structural, and chemical properties. Click through to the pages below to learn more about our range of products and to gain a deeper understanding of how these workflows can meet your specific needs.
Semiconductor device characterization workflow examples
Style Sheet for Komodo Tabs
나노탐침
장치의 복잡성이 증가함에 따라 결함을 숨겨야 하는 부분의 수도 증가합니다. 나노탐침은 효과적인 투과 전자 현미경 불량 분석 워크플로우에서 중요한 전기 고장의 정확한 위치 측정 기능을 제공합니다.
반도체 TEM 이미지 생성 및 분석
Thermo Fisher Scientific 투과 전자 현미경은 반도체 장치의 고분해능 이미지 생성 및 분석 기능을 제공함으로써, 제조업체에서 도구 세트를 보정하고 고장 메커니즘을 진단하며 전체 공정 수율을 최적화할 수 있도록 해줍니다.
반도체 장치의 시료 준비
Thermo Scientific DualBeam 시스템은 반도체 장치의 원자 단위 분석을 위한 정확한 TEM 시료 준비 기능을 제공합니다. 자동화 및 고급 기계 학습 기술은 정확한 위치에서 고품질 시료를 생성하며 시료당 비용이 낮습니다.
반도체 분석 및 이미징
Thermo Fisher Scientific은 일반적인 이미지 생성 작업에서 정밀도 높은 전압 대비 측정이 필요한 고급 고장 분석 기술에 이르까지 반도체 실험실의 모든 기능을 위한 주사전자현미경을 제공합니다.
열 고장 분리
로컬 전력 소실의 불균등한 분포는 로컬 온도를 크게 상승시켜 장치 고장을 유발할 수 있습니다. 고감도 LIT(lock-in infrared thermography)에 의해 열 고장 분리를 위한 고유한 솔루션을 제공합니다.
APT 시료 준비
원자 프로브 단층촬영(APT)은 물질의 원자 분해능 3D 조성 분석 기능을 제공합니다. 집속 이온 빔(FIB) 현미경법은 APT 특성 분석을 위한 고품질, 방향 설정, 위치-특이적인 시료 준비를 위한 필수 기법입니다.
반도체 레이저 절제
레이저 절제 기능은 전자 현미경의 이미지 생성 및 분석에서 반도체 장치의 고처리량 밀링을 제공하는 동시에, 시료의 무결성을 유지해 줍니다. 대용량 3D 데이터에 접근하고 시료 유형에 가장 적합한 밀링 조건으로 최적합니다.
장치 층 제거
기능 크기 축소는 첨단 설계 및 아키텍처와 함께 반도체에 대한 불량 분석을 점차 까다로워지게 하는 결과를 가져옵니다. 장치의 손상 없는 층 제거는 전기적 결함 및 고장을 감지하기 위한 중요한 기법입니다.
나노탐침
장치의 복잡성이 증가함에 따라 결함을 숨겨야 하는 부분의 수도 증가합니다. 나노탐침은 효과적인 투과 전자 현미경 불량 분석 워크플로우에서 중요한 전기 고장의 정확한 위치 측정 기능을 제공합니다.
반도체 TEM 이미지 생성 및 분석
Thermo Fisher Scientific 투과 전자 현미경은 반도체 장치의 고분해능 이미지 생성 및 분석 기능을 제공함으로써, 제조업체에서 도구 세트를 보정하고 고장 메커니즘을 진단하며 전체 공정 수율을 최적화할 수 있도록 해줍니다.
반도체 장치의 시료 준비
Thermo Scientific DualBeam 시스템은 반도체 장치의 원자 단위 분석을 위한 정확한 TEM 시료 준비 기능을 제공합니다. 자동화 및 고급 기계 학습 기술은 정확한 위치에서 고품질 시료를 생성하며 시료당 비용이 낮습니다.
반도체 분석 및 이미징
Thermo Fisher Scientific은 일반적인 이미지 생성 작업에서 정밀도 높은 전압 대비 측정이 필요한 고급 고장 분석 기술에 이르까지 반도체 실험실의 모든 기능을 위한 주사전자현미경을 제공합니다.
열 고장 분리
로컬 전력 소실의 불균등한 분포는 로컬 온도를 크게 상승시켜 장치 고장을 유발할 수 있습니다. 고감도 LIT(lock-in infrared thermography)에 의해 열 고장 분리를 위한 고유한 솔루션을 제공합니다.
APT 시료 준비
원자 프로브 단층촬영(APT)은 물질의 원자 분해능 3D 조성 분석 기능을 제공합니다. 집속 이온 빔(FIB) 현미경법은 APT 특성 분석을 위한 고품질, 방향 설정, 위치-특이적인 시료 준비를 위한 필수 기법입니다.
반도체 레이저 절제
레이저 절제 기능은 전자 현미경의 이미지 생성 및 분석에서 반도체 장치의 고처리량 밀링을 제공하는 동시에, 시료의 무결성을 유지해 줍니다. 대용량 3D 데이터에 접근하고 시료 유형에 가장 적합한 밀링 조건으로 최적합니다.
장치 층 제거
기능 크기 축소는 첨단 설계 및 아키텍처와 함께 반도체에 대한 불량 분석을 점차 까다로워지게 하는 결과를 가져옵니다. 장치의 손상 없는 층 제거는 전기적 결함 및 고장을 감지하기 위한 중요한 기법입니다.
반도체 물질 및 장치 특성 분석
반도체 장치가 축소되고 복잡해짐에 따라 새로운 설계와 구조를 필요로 하게 되었습니다. 고생산성의 3D 분석 워크플로우는 장치 개발 시간을 단축하고 수율을 극대화할 수 있으며, 장치가 산업의 향후 요구 사항에 부합되도록 보장합니다.
기기 카드 원본 스타일시트
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class