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반도체 소자는 여러 가지 이유로 고장을 일으킬 수 있으며 이는 시간 낭비와 제조업체의 비용 증가로 이어집니다. 고장은 과도한 전류 또는 전압, 이온화 방사선, 기계적 응력 또는 온도 상승으로 인해 발생할 수 있으며, 이는 국소적인 전력 손실의 불균일한 분포로 인한 결과입니다.
Steady-state 및 lock-in thermography는 소자의 결함으로 이어지는 온도 변화를 감지할 수 있는 기술입니다. 이러한 방법 중, lock-in infrared (IR) thermography (LIT)는 steady-state thermography에 비해 훨씬 나은 신호 대 잡음비, 감도 및 형상 분해능을 제공합니다. LIT는 반도체 배선의 결함 분석에 사용하여 라인 단락, 정전기 방전(ESD) 결함, 산화물 손상, 트랜지스터와 다이오드 결함, 장치 래치업(latch-up)을 찾을 수 있습니다.
LIT는 다양한 반도체 소자에서 열 고장을 찾는 데 있어 점점 더 가치가 높아지는 기술입니다. Thermo Scientific ELITE 시스템은 강력한 LIT 도구이며, 물리적 분석을 위해 Thermo Scientific Helios PFIB DualBeam과 결합할 때 특히 유용하며, 매우 효율적인 워크플로우를 생성합니다. 자세한 내용은 아래 제품 페이지를 참조하십시오.
저항 단락 감지 중에 생성된 열 이미지는 소자에 땜질된 와이어를 보여줍니다.
Lock in thermography 워크플로우 예
신호 강도에 따라 획득 시간을 조정하는 잠금(lock-in) 기술의 힘을 보여주는 ELITE 시스템으로 생성된 열 이미지.
실시간 lock-in-thermography 그림
80시간의 통합 후 포착된 매우 약한 thermal emitter를 보여주는 ELITE 이미지.
ELITE 시스템은 3차원에서 열원을 찾을 수 있어 stacked-die 분석에 적합합니다.
신호 강도에 따라 획득 시간을 조정하는 잠금(lock-in) 기술의 힘을 보여주는 ELITE 시스템으로 생성된 열 이미지.
실시간 lock-in-thermography 그림
80시간의 통합 후 포착된 매우 약한 thermal emitter를 보여주는 ELITE 이미지.
ELITE 시스템은 3차원에서 열원을 찾을 수 있어 stacked-die 분석에 적합합니다.
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