Search
Semiconductor Analysis
Semiconductor Scanning Electron Microscope Analysis and Imaging
Semiconductor imaging and analysis solutions with scanning electron microscopy, supporting a wide variety of advanced failure analysis applications.
Join the Conversation
48ab - Appl/Samples/Products/Resources/Contact
The miniaturization of semiconductor devices is continuing at an extraordinary rate. In order to accurately develop, characterize, and test these devices, advanced imaging and analysis techniques are needed. From simple, general tasks to advanced failure analysis (FA) techniques that need extremely precise voltage-contrast measurements on complex devices, scanning electron microscopy (SEM) imaging can provide you with a large variety of critical data for your semiconductor manufacturing needs.
For example, higher accelerating voltages are often used to maximize signal and reduce time-to-data. These higher voltages were once acceptable because of the larger structural dimensions found in previous generation devices. However, as feature sizes continue to shrink due to device miniaturization, higher accelerating voltages are no longer appropriate, and lower voltages are necessary to accurately image smaller features. Low kV imaging also allows you to analyze working transistors without impacting their characteristics and helps you resolve layers without interference from the underlying sections. New materials also require low voltage to minimize beam damage.
Thermo Fisher Scientific offers a range of SEM instrumentation, including low-voltage tools ideally suited to analyze the next generation of semiconductor devices. This includes the versatile Thermo Scientific Prisma SEM and Thermo Scientific Quattro SEM, our general-purpose tools available with Thermo Scientific ChemiSEM Technology. We also offer high-quality, and low-kV imaging on the Thermo Scientific Apreo SEM, and high-contrast sub-nanometer imaging on the Thermo Scientific Verios XHR SEM. Please click through to the appropriate product pages below for more information.
SEM imaging and analysis workflow examples
2 kV image of a wire bond, generated using an Apreo SEM with an Everhart-Thornley detector.
5 kV image of a wire bond, generated using an Apreo SEM with a concentric back-scattered (CBS) detector.
Maps overview, collected on the Apreo SEM, of an area mechanically de-processed for electrical probing.
Cross-section of a camera image sensor using a concentric back-scattered (CBS) on the Apreo SEM.
400 V image of a battery catalyst, collected using a Thermo Scientific Verios 5 SEM.
VNAND cross-section image acquired with the Verios SEM, using the in-column detector.
2 kV image of a wire bond, generated using an Apreo SEM with an Everhart-Thornley detector.
5 kV image of a wire bond, generated using an Apreo SEM with a concentric back-scattered (CBS) detector.
Maps overview, collected on the Apreo SEM, of an area mechanically de-processed for electrical probing.
Cross-section of a camera image sensor using a concentric back-scattered (CBS) on the Apreo SEM.
400 V image of a battery catalyst, collected using a Thermo Scientific Verios 5 SEM.
VNAND cross-section image acquired with the Verios SEM, using the in-column detector.
Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern
Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.
Fehleranalyse von Halbleitern
Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.
Physikalische und chemische Charakterisierung
Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.
Analyse von Leistungshalbleitern
Leistungshalbleiter stellen besondere Herausforderungen für die Lokalisierung von Fehlern dar, vor allem aufgrund der Architektur und des Aufbaus von Leistungshalbleitern. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Analyse von Leistungshalbleitern ermöglichen unter Betriebsbedingungen eine schnelle Bestimmung des Fehlerorts sowie eine präzise Hochdurchsatzanalyse zur Charakterisierung von Materialien, Schnittstellen und Bauelementstrukturen.
Fehleranalyse von Anzeigemodulen
Die Entwicklung von Anzeigetechnologien zielt darauf ab, die Anzeigequalität und die Effizienz der Lichtkonvertierung zu verbessern, um Anwendungen in verschiedenen Branchen zu unterstützen und gleichzeitig die Produktionskosten weiter zu senken. Unsere Lösungen für Prozessmesstechnik, Fehleranalyse und Forschung und Entwicklung helfen Unternehmen, die sich mit Anzeigen beschäftigen, diese Herausforderungen zu meistern.
Ausbeutesteigerung und Metrologie
Wir bieten fortschrittliche Analysemöglichkeiten für die Fehleranalyse, Metrologie und Prozesskontrolle, die die Produktivität erhöhen und die Ausbeute bei zahlreichen Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauelementen verbessern.
Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen
Da Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, werden neue Designs und Strukturen benötigt. Arbeitsabläufe für hochproduktive 3D-Analysen können die Entwicklungszeit von Bauelementen verkürzen, die Ausbeute maximieren und sicherstellen, dass Bauelemente die zukünftigen Anforderungen der Branche erfüllen.
Style Sheet for Komodo Tabs
Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class