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Semiconductor Analysis
Thermal Fault Isolation
Lock in thermography (LIT) for accurately locating thermal failures in semiconductor device design.
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48ab - Appl/Samples/Products/Resources/Contact
Semiconductor devices can fail for many reasons, leading to wasted time and increased costs for the manufacturer. Failures can result from excess current or voltage, ionizing radiation, mechanical stress, or large increases in temperature, which are the consequence of an uneven distribution of local power dissipation.
Steady-state and lock-in thermography are techniques that allow you to detect the temperature variations that lead to device failures. Of these methods, lock-in infrared (IR) thermography (LIT) offers much better signal-to-noise ratio, sensitivity, and feature resolution than steady-state thermography. LIT can be used in the failure analysis of semiconductor interconnects to locate line shorts, electrostatic discharge (ESD) defects, oxide damage, defective transistors and diodes, and device latch-ups.
LIT is an increasingly valuable technique for locating thermal faults in a broad range of semiconductor devices. The Thermo Scientific ELITE System is a powerful LIT tool that is particularly useful when combined with the Thermo Scientific Helios PFIB DualBeam for physical analysis, creating a highly efficient workflow. Learn more by exploring the product pages below.
Thermal image produced during ohmic short detection, showing wires soldered to a device.
Lock in thermography workflow example
Thermal images produced by the ELITE System, showing the power of lock-in technology for scaling acquisition time based on signal strength.
Real-time lock-in-thermography scheme.
ELITE image showing a very weak thermal emitter captured after 80 hours of integration.
The ability to locate a thermal source in three dimensions makes the ELITE System well-suited for stacked-die analysis.
Thermal images produced by the ELITE System, showing the power of lock-in technology for scaling acquisition time based on signal strength.
Real-time lock-in-thermography scheme.
ELITE image showing a very weak thermal emitter captured after 80 hours of integration.
The ability to locate a thermal source in three dimensions makes the ELITE System well-suited for stacked-die analysis.
Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern
Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.
Fehleranalyse von Halbleitern
Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.
Physikalische und chemische Charakterisierung
Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.
ESD-Halbleiterqualifizierung
Jeder Kontrollplan für elektrostatische Entladung (ESD) muss Geräte identifizieren können, die empfindlich auf elektrostatische Entladung reagieren. Wir bieten ein komplettes Angebot von Testsystemen für die Qualifizierung Ihrer Geräte.
Analyse von Leistungshalbleitern
Leistungshalbleiter stellen besondere Herausforderungen für die Lokalisierung von Fehlern dar, vor allem aufgrund der Architektur und des Aufbaus von Leistungshalbleitern. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Analyse von Leistungshalbleitern ermöglichen unter Betriebsbedingungen eine schnelle Bestimmung des Fehlerorts sowie eine präzise Hochdurchsatzanalyse zur Charakterisierung von Materialien, Schnittstellen und Bauelementstrukturen.
Fehleranalyse von Anzeigemodulen
Die Entwicklung von Anzeigetechnologien zielt darauf ab, die Anzeigequalität und die Effizienz der Lichtkonvertierung zu verbessern, um Anwendungen in verschiedenen Branchen zu unterstützen und gleichzeitig die Produktionskosten weiter zu senken. Unsere Lösungen für Prozessmesstechnik, Fehleranalyse und Forschung und Entwicklung helfen Unternehmen, die sich mit Anzeigen beschäftigen, diese Herausforderungen zu meistern.
Ausbeutesteigerung und Metrologie
Wir bieten fortschrittliche Analysemöglichkeiten für die Fehleranalyse, Metrologie und Prozesskontrolle, die die Produktivität erhöhen und die Ausbeute bei zahlreichen Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauelementen verbessern.
Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen
Da Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, werden neue Designs und Strukturen benötigt. Arbeitsabläufe für hochproduktive 3D-Analysen können die Entwicklungszeit von Bauelementen verkürzen, die Ausbeute maximieren und sicherstellen, dass Bauelemente die zukünftigen Anforderungen der Branche erfüllen.
Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten
Style Sheet for Komodo Tabs
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class