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The increasing complexity of semiconductor device structures, along with the shrinking of structural dimensions, means that designing next-generation devices is more challenging and time-consuming than ever before. This, coupled with the fact that the number of technology and design options available is increasing, means a lower probability that any particular design will be commercially successful. As a result, device manufacturers need reliable tools for pathfinding that reduce the number of viable options available and help them implement solutions faster.
The complexity of considering all the chip, package, and system integration options that exist has made implementation an intimidating task. As a result, continuing evolution of the most advanced pathfinding capability has become a requirement in efficient semiconductor device design. Adding to this level of complexity are structures with multifaceted 3D architectures. Isolating defects or resolving material interfaces in a focused-ion-beam (FIB) cut structural cross-section requires highly precise preparation and subsequent scanning electron microscopy (SEM) or scanning transmission electron microscopy (STEM) imaging. Precision FIB editing tools can also perform microsurgery and nanoprototyping of new circuit designs. Finally, due to limited floorspace and budgets, labs are pushing to have multiple analysis options in a single system to get the most comprehensive data in the shortest possible time.
Thermo Fisher Scientific provides a full suite of analytical instruments that enable advanced R&D on innovative logic, memory, power and display device technologies. We offer the most advanced capability to perform high-end atomic-level research and prototyping, using STEM and FIB microscopy.
Semiconductor pathfinding and device development workflow examples
Style Sheet for Komodo Tabs
TEM-Messtechnik
Fortschrittliche und automatisierte TEM-Messroutinen liefern eine deutlich höhere Präzision als manuelle Methoden. Dadurch können Anwender große Mengen statistisch relevanter Daten mit Spezifität im Sub-Angstrom-Bereich erzeugen, die frei von Bedienereinflüssen ist.
Bildgebung und Analyse mittels TEM für Halbleiter
Thermo Fisher Scientific Transmissionselektronenmikroskope bieten die hochauflösende Bildgebung und Analyse von Halbleiterbauelementen, mit denen Hersteller Werkzeuge kalibrieren, Fehlermechanismen diagnostizieren und die Gesamtprozesserträge optimieren können.
Probenvorbereitung von Halbleiterbauelementen
Thermo Scientific DualBeam Systeme bieten genaue eine TEM-Probenvorbereitung für die Analyse von Halbleiterbauelementen im atomaren Maßstab. Automatisierung und fortschrittliche Machine-Learning-Methoden erzeugen qualitativ hochwertige Proben am richtigen Ort und zu niedrigen Kosten pro Probe.
Bildgebung und Analyse von Halbleitern
Thermo Fisher Scientific bietet Rasterelektronenmikroskope für jede Funktion eines Halbleiterlabors, von allgemeinen Bildgebungsaufgaben bis hin zu fortschrittlichen Fehleranalyseverfahren, die präzise Spannungskontrastmessungen erfordern.
Optische Fehlerisolierung
Immer komplexere Konstruktionen erschweren die Isolierung von Fehlern und Defekten in der Halbleiterfertigung. Mit Verfahren der optischen Fehlerisolierung können Sie die Leistung von elektrisch aktiven Geräten analysieren, um systemrelevante Defekte zu finden, die zu einem Geräteausfall führen.
Thermische Fehlerisolierung
Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).
Schaltungsbearbeitung
Fortschrittliche, eigens für diese Aufgabe betriebene Lösungen zur Schaltungsbearbeitung und für das Nanoprototyping, die neuartige Gaszuführsysteme mit einem breiten Portfolio an chemischen Eigenschaften und FIB-Technologie (fokussierter Ionenstrahl) kombinieren, bieten unvergleichliche Kontrolle und Präzision für die Entwicklung von Halbleiterbauelementen.
Nanosondierung
Je komplexer das Gerät ist, um so mehr Stellen existieren, an denen sich Defekte verstecken können. Nanosondierung ermöglicht die präzise Lokalisierung von elektrischen Fehlern, was für eine effektive Fehleranalyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie entscheidend ist.
Laserablation für Halbleiter
Die Laserablation ermöglicht das Abtragen von Halbleiterbauelementen im Hochdurchsatz für die Bildgebung und Analyse mittels Elektronenmikroskopie bei gleichzeitiger Erhaltung der Probenintegrität. Greifen Sie auf 3D-Daten mit großem Volumen zu und optimieren Sie die Abtragungsbedingungen, um sie auf die für Ihren Probentyp beste Weise zu nutzen.
APT-Probenvorbereitung
Die Atomsondentomographie (Atom Probe Tomography, APT) ermöglicht die 3D-Kompositionsanalyse von Materialien mit atomarer Auflösung. Die Mikroskopie mit fokussiertem Ionenstrahl (Focused Ion Beam, FIB) ist eine äußerst wichtige Technologie für eine qualitativ hochwertige, ausrichtungs- und ortsspezifische Probenpräparation für die APT-Charakterisierung.
Entschichtung von Bauelementen
Immer kleinere Bauelemente und fortschrittliches Design und Architektur führen zu immer größeren Herausforderungen bei der Fehleranalyse von Halbleitern. Die schadensfreie Entschichtung von Bauelementen ist ein wichtiges Verfahren für die Erkennung von verborgenen elektrischen Fehlern und Ausfällen.
TEM-Messtechnik
Fortschrittliche und automatisierte TEM-Messroutinen liefern eine deutlich höhere Präzision als manuelle Methoden. Dadurch können Anwender große Mengen statistisch relevanter Daten mit Spezifität im Sub-Angstrom-Bereich erzeugen, die frei von Bedienereinflüssen ist.
Bildgebung und Analyse mittels TEM für Halbleiter
Thermo Fisher Scientific Transmissionselektronenmikroskope bieten die hochauflösende Bildgebung und Analyse von Halbleiterbauelementen, mit denen Hersteller Werkzeuge kalibrieren, Fehlermechanismen diagnostizieren und die Gesamtprozesserträge optimieren können.
Probenvorbereitung von Halbleiterbauelementen
Thermo Scientific DualBeam Systeme bieten genaue eine TEM-Probenvorbereitung für die Analyse von Halbleiterbauelementen im atomaren Maßstab. Automatisierung und fortschrittliche Machine-Learning-Methoden erzeugen qualitativ hochwertige Proben am richtigen Ort und zu niedrigen Kosten pro Probe.
Bildgebung und Analyse von Halbleitern
Thermo Fisher Scientific bietet Rasterelektronenmikroskope für jede Funktion eines Halbleiterlabors, von allgemeinen Bildgebungsaufgaben bis hin zu fortschrittlichen Fehleranalyseverfahren, die präzise Spannungskontrastmessungen erfordern.
Optische Fehlerisolierung
Immer komplexere Konstruktionen erschweren die Isolierung von Fehlern und Defekten in der Halbleiterfertigung. Mit Verfahren der optischen Fehlerisolierung können Sie die Leistung von elektrisch aktiven Geräten analysieren, um systemrelevante Defekte zu finden, die zu einem Geräteausfall führen.
Thermische Fehlerisolierung
Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).
Schaltungsbearbeitung
Fortschrittliche, eigens für diese Aufgabe betriebene Lösungen zur Schaltungsbearbeitung und für das Nanoprototyping, die neuartige Gaszuführsysteme mit einem breiten Portfolio an chemischen Eigenschaften und FIB-Technologie (fokussierter Ionenstrahl) kombinieren, bieten unvergleichliche Kontrolle und Präzision für die Entwicklung von Halbleiterbauelementen.
Nanosondierung
Je komplexer das Gerät ist, um so mehr Stellen existieren, an denen sich Defekte verstecken können. Nanosondierung ermöglicht die präzise Lokalisierung von elektrischen Fehlern, was für eine effektive Fehleranalyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie entscheidend ist.
Laserablation für Halbleiter
Die Laserablation ermöglicht das Abtragen von Halbleiterbauelementen im Hochdurchsatz für die Bildgebung und Analyse mittels Elektronenmikroskopie bei gleichzeitiger Erhaltung der Probenintegrität. Greifen Sie auf 3D-Daten mit großem Volumen zu und optimieren Sie die Abtragungsbedingungen, um sie auf die für Ihren Probentyp beste Weise zu nutzen.
APT-Probenvorbereitung
Die Atomsondentomographie (Atom Probe Tomography, APT) ermöglicht die 3D-Kompositionsanalyse von Materialien mit atomarer Auflösung. Die Mikroskopie mit fokussiertem Ionenstrahl (Focused Ion Beam, FIB) ist eine äußerst wichtige Technologie für eine qualitativ hochwertige, ausrichtungs- und ortsspezifische Probenpräparation für die APT-Charakterisierung.
Entschichtung von Bauelementen
Immer kleinere Bauelemente und fortschrittliches Design und Architektur führen zu immer größeren Herausforderungen bei der Fehleranalyse von Halbleitern. Die schadensfreie Entschichtung von Bauelementen ist ein wichtiges Verfahren für die Erkennung von verborgenen elektrischen Fehlern und Ausfällen.
Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen
Da Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, werden neue Designs und Strukturen benötigt. Arbeitsabläufe für hochproduktive 3D-Analysen können die Entwicklungszeit von Bauelementen verkürzen, die Ausbeute maximieren und sicherstellen, dass Bauelemente die zukünftigen Anforderungen der Branche erfüllen.
Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class