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The Thermo Scientific Hyperion II System offers fast, accurate transistor probing for electrical characterization and fault localization in support of semiconductor technology development, yield engineering and device reliability improvement. The unparalleled stability of the Hyperion II System enables nanoprobing down to the 5 nm technology node and beyond.
The Hyperion II System’s SPM technology enables PicoCurrent imaging, which is a technique to rapidly identify shorts, opens, leakage paths and resistive contacts with more than 1,000 times the sensitivity of passive voltage contrast. The scanning capacitance microscopy (SCM) module provides image-based fault localization for silicon on insulator (SOI) wafers, as well as high-resolution dopant profiling.
Capabilities
| Measurement modes The Hyperion II System’s advanced measurement modes include:
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PicoCurrent image (left ) indicates suspected transistor, while I-V curves (right) verify anomalous electrical behavior.
Current voltage (I-V) measurements
Probing multiple transistors within the target area to localize a fault can be time-consuming. The Hyperion II System combines PicoCurrent imaging with I-V probing to quickly find potential defects and measure current-voltage curves, without introducing measurement-related shifts.
C-V is used to study oxide layers, interface traps and charge carrier densities. The Hyperion II System offers high-resolution C-V with excellent impedance control, low leakage and very low noise.
Capacitance voltage (C-V) measurements
C-V is used to study oxide layers, interface traps and charge carrier densities. The Hyperion II System offers high-resolution C-V with excellent impedance control, low leakage and very low noise.
Pulsed I-V is used for studying self-heating of SOI and trapped charge in high-k dielectric. The Hyperion II System enables high-speed testing of devices with less than two nanosecond rise time.
Pulsed I-V measurements
Pulsed I-V is used for studying self-heating of SOI and trapped charge in high-k dielectric. The Hyperion II System enables high-speed testing of devices with less than 2 nanosecond rise time.
Fast fault localization
Integrated PicoCurrent Imaging and Scanning Capacitance Microscopy (SCM) quickly identifies fault candidates for nanoprobing.
eFast guided operation
Semi-automated step by step guided operation for increased productivity, ease of use and reduced training burden.
No ebeam-sample interaction
Atomic force probes image and probe features, eliminating need for SEM imaging and vacuum system.
Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern
Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.
Fehleranalyse von Halbleitern
Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.
ESD-Halbleiterqualifizierung
Jeder Kontrollplan für elektrostatische Entladung (ESD) muss Geräte identifizieren können, die empfindlich auf elektrostatische Entladung reagieren. Wir bieten ein komplettes Angebot von Testsystemen für die Qualifizierung Ihrer Geräte.
Analyse von Leistungshalbleitern
Leistungshalbleiter stellen besondere Herausforderungen für die Lokalisierung von Fehlern dar, vor allem aufgrund der Architektur und des Aufbaus von Leistungshalbleitern. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Analyse von Leistungshalbleitern ermöglichen unter Betriebsbedingungen eine schnelle Bestimmung des Fehlerorts sowie eine präzise Hochdurchsatzanalyse zur Charakterisierung von Materialien, Schnittstellen und Bauelementstrukturen.
Physikalische und chemische Charakterisierung
Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.
Style Sheet for Komodo Tabs
Nanosondierung
Je komplexer das Gerät ist, um so mehr Stellen existieren, an denen sich Defekte verstecken können. Nanosondierung ermöglicht die präzise Lokalisierung von elektrischen Fehlern, was für eine effektive Fehleranalyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie entscheidend ist.
Nanosondierung
Je komplexer das Gerät ist, um so mehr Stellen existieren, an denen sich Defekte verstecken können. Nanosondierung ermöglicht die präzise Lokalisierung von elektrischen Fehlern, was für eine effektive Fehleranalyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie entscheidend ist.
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Electron microscopy services for
semiconductors
To ensure optimal system performance, we provide you access to a world-class network of field service experts, technical support, and certified spare parts.
Electron microscopy support and resources
Style Sheet for Support and Service footer
Style Sheet for Fonts
Style Sheet for Cards