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Semiconductor Analysis
Semiconductor Failure Analysis
Failure analysis and defect localization for semiconductor devices to achieve higher yield and faster time-to-data.
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As the dimensions of semiconductor device structures shrink and become more complex, defect localization and failure analysis become more critical, and more challenging. High-density interconnects, wafer-level stacking, flexible electronics, and integral substrates mean that failure-inducing defects have more places to hide. Even worse, these failures can occur at the device packaging stage, resulting in an intolerable loss of yield and an increase in time-to-market.
Advanced analytical tools are essential for the detection of any electrical defects that can negatively influence yield, reliability, or performance. With the right equipment, the time and cost associated with electrical fault isolation can be reduced by quickly extracting comprehensive defect data from the sample.
Thermo Fisher Scientific offers advanced analytical tools for fast physical and electrical failure analysis. Our workflows allow you to localize and characterize subtle electrical issues that affect yield, performance, and reliability. Click through to our technique or product pages for additional information.
Semiconductor defect localization and analysis workflow examples
Style Sheet for Komodo Tabs
Optische Fehlerisolierung
Immer komplexere Konstruktionen erschweren die Isolierung von Fehlern und Defekten in der Halbleiterfertigung. Mit Verfahren der optischen Fehlerisolierung können Sie die Leistung von elektrisch aktiven Geräten analysieren, um systemrelevante Defekte zu finden, die zu einem Geräteausfall führen.
Thermische Fehlerisolierung
Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).
Bildgebung und Analyse mittels TEM für Halbleiter
Thermo Fisher Scientific Transmissionselektronenmikroskope bieten die hochauflösende Bildgebung und Analyse von Halbleiterbauelementen, mit denen Hersteller Werkzeuge kalibrieren, Fehlermechanismen diagnostizieren und die Gesamtprozesserträge optimieren können.
Bildgebung und Analyse von Halbleitern
Thermo Fisher Scientific bietet Rasterelektronenmikroskope für jede Funktion eines Halbleiterlabors, von allgemeinen Bildgebungsaufgaben bis hin zu fortschrittlichen Fehleranalyseverfahren, die präzise Spannungskontrastmessungen erfordern.
Nanosondierung
Je komplexer das Gerät ist, um so mehr Stellen existieren, an denen sich Defekte verstecken können. Nanosondierung ermöglicht die präzise Lokalisierung von elektrischen Fehlern, was für eine effektive Fehleranalyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie entscheidend ist.
Laserablation für Halbleiter
Die Laserablation ermöglicht das Abtragen von Halbleiterbauelementen im Hochdurchsatz für die Bildgebung und Analyse mittels Elektronenmikroskopie bei gleichzeitiger Erhaltung der Probenintegrität. Greifen Sie auf 3D-Daten mit großem Volumen zu und optimieren Sie die Abtragungsbedingungen, um sie auf die für Ihren Probentyp beste Weise zu nutzen.
APT-Probenvorbereitung
Die Atomsondentomographie (Atom Probe Tomography, APT) ermöglicht die 3D-Kompositionsanalyse von Materialien mit atomarer Auflösung. Die Mikroskopie mit fokussiertem Ionenstrahl (Focused Ion Beam, FIB) ist eine äußerst wichtige Technologie für eine qualitativ hochwertige, ausrichtungs- und ortsspezifische Probenpräparation für die APT-Charakterisierung.
Entschichtung von Bauelementen
Immer kleinere Bauelemente und fortschrittliches Design und Architektur führen zu immer größeren Herausforderungen bei der Fehleranalyse von Halbleitern. Die schadensfreie Entschichtung von Bauelementen ist ein wichtiges Verfahren für die Erkennung von verborgenen elektrischen Fehlern und Ausfällen.
ESD-Konformitätstests
Elektrostatische Entladungen (ESD) können kleine Merkmale und Strukturen in Halbleitern und integrierten Schaltkreisen beschädigen. Wir bieten eine umfassende Suite von Testgeräten, mit denen Sie überprüfen können, ob Ihre Bauelemente die angestrebten ESD-Konformitätsstandards erfüllen.
Optische Fehlerisolierung
Immer komplexere Konstruktionen erschweren die Isolierung von Fehlern und Defekten in der Halbleiterfertigung. Mit Verfahren der optischen Fehlerisolierung können Sie die Leistung von elektrisch aktiven Geräten analysieren, um systemrelevante Defekte zu finden, die zu einem Geräteausfall führen.
Thermische Fehlerisolierung
Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).
Bildgebung und Analyse mittels TEM für Halbleiter
Thermo Fisher Scientific Transmissionselektronenmikroskope bieten die hochauflösende Bildgebung und Analyse von Halbleiterbauelementen, mit denen Hersteller Werkzeuge kalibrieren, Fehlermechanismen diagnostizieren und die Gesamtprozesserträge optimieren können.
Bildgebung und Analyse von Halbleitern
Thermo Fisher Scientific bietet Rasterelektronenmikroskope für jede Funktion eines Halbleiterlabors, von allgemeinen Bildgebungsaufgaben bis hin zu fortschrittlichen Fehleranalyseverfahren, die präzise Spannungskontrastmessungen erfordern.
Nanosondierung
Je komplexer das Gerät ist, um so mehr Stellen existieren, an denen sich Defekte verstecken können. Nanosondierung ermöglicht die präzise Lokalisierung von elektrischen Fehlern, was für eine effektive Fehleranalyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie entscheidend ist.
Laserablation für Halbleiter
Die Laserablation ermöglicht das Abtragen von Halbleiterbauelementen im Hochdurchsatz für die Bildgebung und Analyse mittels Elektronenmikroskopie bei gleichzeitiger Erhaltung der Probenintegrität. Greifen Sie auf 3D-Daten mit großem Volumen zu und optimieren Sie die Abtragungsbedingungen, um sie auf die für Ihren Probentyp beste Weise zu nutzen.
APT-Probenvorbereitung
Die Atomsondentomographie (Atom Probe Tomography, APT) ermöglicht die 3D-Kompositionsanalyse von Materialien mit atomarer Auflösung. Die Mikroskopie mit fokussiertem Ionenstrahl (Focused Ion Beam, FIB) ist eine äußerst wichtige Technologie für eine qualitativ hochwertige, ausrichtungs- und ortsspezifische Probenpräparation für die APT-Charakterisierung.
Entschichtung von Bauelementen
Immer kleinere Bauelemente und fortschrittliches Design und Architektur führen zu immer größeren Herausforderungen bei der Fehleranalyse von Halbleitern. Die schadensfreie Entschichtung von Bauelementen ist ein wichtiges Verfahren für die Erkennung von verborgenen elektrischen Fehlern und Ausfällen.
ESD-Konformitätstests
Elektrostatische Entladungen (ESD) können kleine Merkmale und Strukturen in Halbleitern und integrierten Schaltkreisen beschädigen. Wir bieten eine umfassende Suite von Testgeräten, mit denen Sie überprüfen können, ob Ihre Bauelemente die angestrebten ESD-Konformitätsstandards erfüllen.
Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen
Da Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, werden neue Designs und Strukturen benötigt. Arbeitsabläufe für hochproduktive 3D-Analysen können die Entwicklungszeit von Bauelementen verkürzen, die Ausbeute maximieren und sicherstellen, dass Bauelemente die zukünftigen Anforderungen der Branche erfüllen.
Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten
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