Search
Semiconductor Analysis
Semiconductor Sample Preparation for TEM and STEM
Sample preparation for TEM and STEM imaging of semiconductor devices.
Join the Conversation
48ab - Appl/Samples/Products/Resources/Contact
Novel semiconductor device fabrication requires highly accurate imaging and failure analysis to produce improved and optimized fabrication workflows. This means advanced (scanning) transmission electron microscopy (TEM and STEM, or (S)TEM) tools have become a critical component in all leading-edge wafer-fabrication processes.
However, TEM imaging and analysis are highly dependent on the quality of the sample. As a result, sample preparation is a crucial task in fabrication facilities and failure analysis labs. The problem is that conventional methods for ultra-thin (S)TEM sample preparation are challenging and time-consuming, requiring hours, if not days of manual operation by experienced users. The wide range of materials now used in device manufacturing, coupled with the need for site-specific information, only further complicates this process.
Thermo Fisher Scientific offers rapid, accurate, and robust sample preparation tools for (S)TEM imaging on advanced semiconductor designs. Our entire suite of sample preparation instruments allows you to reach atomic scale data faster, easier, and with minimal cost-per-sample. Additionally, Thermo Scientific AutoTEM 5 Software supports fully automated in-situ TEM sample preparation using DualBeam systems. This gives users (of any experience level) the ability to obtain fast, reliable, and repeatable results. Click through to the appropriate product pages below for more information.
Sample prepared with AutoTEM 5 Software, which enables 1-click bulk sample preparation.
TEM sample preparation workflow examples
In-situ TEM sample preparation; the sample is ready for final thinning on the grid.
In-situ TEM sample preparation; the sample is ready for final thinning on the grid.
Automated ex-situ TEM sample preparation; the sample is ready for lift out.
Automated ex-situ TEM sample preparation; the sample is ready for lift out.
DualBeam user interface, showing relevant views for the precise placement of the TEM sample using high-resolution imaging.
In-situ TEM sample preparation; the sample is ready for final thinning on the grid.
In-situ TEM sample preparation; the sample is ready for final thinning on the grid.
Automated ex-situ TEM sample preparation; the sample is ready for lift out.
Automated ex-situ TEM sample preparation; the sample is ready for lift out.
DualBeam user interface, showing relevant views for the precise placement of the TEM sample using high-resolution imaging.
Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern
Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.
Fehleranalyse von Halbleitern
Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.
Physikalische und chemische Charakterisierung
Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.
Analyse von Leistungshalbleitern
Leistungshalbleiter stellen besondere Herausforderungen für die Lokalisierung von Fehlern dar, vor allem aufgrund der Architektur und des Aufbaus von Leistungshalbleitern. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Analyse von Leistungshalbleitern ermöglichen unter Betriebsbedingungen eine schnelle Bestimmung des Fehlerorts sowie eine präzise Hochdurchsatzanalyse zur Charakterisierung von Materialien, Schnittstellen und Bauelementstrukturen.
Fehleranalyse von Anzeigemodulen
Die Entwicklung von Anzeigetechnologien zielt darauf ab, die Anzeigequalität und die Effizienz der Lichtkonvertierung zu verbessern, um Anwendungen in verschiedenen Branchen zu unterstützen und gleichzeitig die Produktionskosten weiter zu senken. Unsere Lösungen für Prozessmesstechnik, Fehleranalyse und Forschung und Entwicklung helfen Unternehmen, die sich mit Anzeigen beschäftigen, diese Herausforderungen zu meistern.
Ausbeutesteigerung und Metrologie
Wir bieten fortschrittliche Analysemöglichkeiten für die Fehleranalyse, Metrologie und Prozesskontrolle, die die Produktivität erhöhen und die Ausbeute bei zahlreichen Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauelementen verbessern.
Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen
Da Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, werden neue Designs und Strukturen benötigt. Arbeitsabläufe für hochproduktive 3D-Analysen können die Entwicklungszeit von Bauelementen verkürzen, die Ausbeute maximieren und sicherstellen, dass Bauelemente die zukünftigen Anforderungen der Branche erfüllen.
Style Sheet for Komodo Tabs
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten
