Electronic and Photonic Material Analysis

De nouveaux matériaux pour prendre en charge toutes les données

Les matériaux électroniques, photoniques et magnétiques sont les principaux moteurs des avancées technologiques en matière de stockage, de traitement et de transfert des informations.

La science des matériaux combine la chimie, les sciences physiques et l’engineering pour développer de nouveaux matériaux et processus polyvalents dédiés à des circuits électroniques pouvant être à l’échelle nanométrique. La quantité d’informations augmente de manière exponentielle et des besoins en nouveaux matériaux continuent de se faire sentir, ce qui donne lieu à des avancées supplémentaires en termes de matériaux électroniques, photoniques et magnétiques.

L’imagerie Raman est utilisée en photonique pour mesurer les guides d’ondes, ainsi que pour étudier de nouveaux matériaux électroniques potentiels provenant de sources telles que les nanotubes de carbone alignés. Les technologies Raman et XPS sont souvent utilisées dans de nombreux domaines de recherche, notamment l’analyse des matériaux de semi-conducteur pour évaluer les contraintes dans la silicone.


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Produits courants pour l’analyse des matériaux électroniques et photoniques

Connexion des métaux du groupe du platine : applications électroniques

L’utilisation des métaux du groupe du platine (PGM – platine, palladium, rhodium, iridium, ruthénium et osmium) est répandue en électronique, et ces matériaux font l’objet d’une demande croissante. Lisez ce blog sur les nombreuses utilisations de ces types de métaux et sur les points importants à prendre en considération lors du développement et de la production des composants électroniques.

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Vidéos à la une sur l’analyse de surface

MAGCIS de l’intérieur

Cette source d’ions à deux modes permet d’analyser le profilage de profondeur et de nettoyer des surfaces de matériaux durs et mous sur le même instrument XPS.

Cartographie des semi-conducteurs

Avec le rétrécissement des transistors, les circuits intégrés nécessitent des couches diélectriques de plus en plus fines entre la grille et le canal. Pour que les solutions développées soient encore réduites, il n’est plus possible d’utiliser le dioxyde de silicium comme matériau diélectrique. En effet, avec l’épaisseur requise pour la conception du transistor, le courant de fuite deviendrait inacceptable. Ce matériau est donc remplacé par des matériaux à constante diélectrique élevée (matériaux diélectriques High-K), ce qui génère de nouvelles exigences analytiques. Outre l’épaisseur des couches, les paramètres suivants deviennent également importants :

cartographie des semi-conducteurs
  • Épaisseur de toute couche intermédiaire (dioxyde de silicium ou métal-silicate)
  • Distribution des éléments dans la couche
  • Quantité de matériau actif dans la couche
  • État chimique des éléments dans la couche intermédiaire
  • Uniformité de ces paramètres dans l’ensemble du wafer

Il est possible d’analyser toute la couche diélectrique selon un angle d’émission d’électrons presque normal, sans retirer aucun matériau. La technologie XPS fournit des informations sur la composition chimique des couches et de leurs interfaces. Quant à la technologie ARXPS (XPS à résolution angulaire), elle fournit des informations sur l’épaisseur des couches et la distribution des matériaux à l’intérieur de ces couches. La technologie ARXPS est non destructive et évite d’avoir à utiliser la pulvérisation à l’aide d’un faisceau d’ions. Il est démontré que la pulvérisation modifie la composition des couches et provoque des mélanges atomiques, ce qui risque d’entraîner des erreurs d’interprétation des données.

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