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A major, ongoing challenge of the tech industry is the shrinking of semiconductor devices and transistor feature dimensions. To maintain excellent reliability, performance, and yield, semiconductor failure analysis techniques have to constantly improve in order to meet this challenge. As a result, high-end, advanced instrumentation is needed to localize and identify defective structures, which have more places to hide due to high-density interconnects, wafer-level stacking, and complex 3D architectures.

Nanoprobing is an advanced characterization technique designed to isolate electrical defects that can negatively influence yield, reliability, and performance. Nanoprobing also provides the precise localization of electrical faults, which is necessary for an effective transmission electron microscopy (TEM) failure analysis workflow.

Thermo Fisher Scientific provides a range of advanced nanoprobing and sample preparation tools for reliable and accurate electrical fault isolation on a wide range of advanced devices. The Thermo Scientific nProber IV System is a high-performance scanning-electron-microscopy-based platform for the localization of transistor and metallization faults. The Thermo Scientific Hyperion II System is a high-productivity atomic-force-profiling nanoprober, with leading-edge transistor-probing performance that includes integrated conductive atomic force microscopy (C-AFM) capability. See the product pages below for more information.


Semiconductor nanoprobing workflow example

 

 


Resources

Critical Semiconductor Nanoprobing Workflows Explained

Critical Semiconductor Nanoprobing Workflows Explained


Applications

Fehleranalyse von Halbleitern

Fehleranalyse von Halbleitern

Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.

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Physikalische und chemische Charakterisierung

Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.

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ESD-Halbleiterqualifizierung

Jeder Kontrollplan für elektrostatische Entladung (ESD) muss Geräte identifizieren können, die empfindlich auf elektrostatische Entladung reagieren. Wir bieten ein komplettes Angebot von Testsystemen für die Qualifizierung Ihrer Geräte.

Analyse von Leistungshalbleitern

Analyse von Leistungshalbleitern

Leistungshalbleiter stellen besondere Herausforderungen für die Lokalisierung von Fehlern dar, vor allem aufgrund der Architektur und des Aufbaus von Leistungshalbleitern. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Analyse von Leistungshalbleitern ermöglichen unter Betriebsbedingungen eine schnelle Bestimmung des Fehlerorts sowie eine präzise Hochdurchsatzanalyse zur Charakterisierung von Materialien, Schnittstellen und Bauelementstrukturen.

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Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern

Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.


Samples


Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen

Da Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, werden neue Designs und Strukturen benötigt. Arbeitsabläufe für hochproduktive 3D-Analysen können die Entwicklungszeit von Bauelementen verkürzen, die Ausbeute maximieren und sicherstellen, dass Bauelemente die zukünftigen Anforderungen der Branche erfüllen.

Weitere Informationen ›

Style Sheet for Komodo Tabs
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class

Products

Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten

Talos F200E TEM

  • Hochwertige (S)TEM-Bildgebung von Halbleitern und mikroelektronischen Geräten
  • Präzise, schnelle chemische Charakterisierung mit EDS
  • Speziell dafür vorgesehene Halbleiter-Anwendungen

nProber IV

  • Transistorfehler und BEOL-Fehler lokalisieren
  • Thermische Nanosondierung (-40 bis 150 °C)
  • Halbautomatischer Betrieb

Hyperion II System

  • Sondierung mit Rasterkraft
  • Transistorfehler lokalisieren
  • PicoCurrent (CAFM) integriert

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