Scanning electron microscopy (SEM) provides high-quality surface and cross-sectional imaging of 3D structures. As semiconductor feature sizes continue to decrease in response to consumer and industry demands, nanoscale metrology becomes an increasingly important contributor to process and device design yield. Accurate and repeatable nanoscale measurements of critical dimensions require high-resolution SEM imaging and extremely accurate magnification calibration.

The ultra-high-resolution automated SEM capabilities offered by Thermo Fisher Scientific, when combined with our industry-leading software solutions, perform imaging and metrology with the automation, precision, and robustness needed to meet the challenges of leading memory and logic customers. Leveraging NIST-traceable calibration standards, mature imaging automation (both cross-sectional and top-down), and next-generation machine-learning-enabled metrology, Thermo Scientific automated SEMs provide cost-effective 3D metrology for direct process and device monitoring, as well as faster time to market.

Thermo Fisher Scientific offers a range of SEM metrology tools for critical dimension analysis, including the Thermo Scientific Verios 5 SEM with Thermo Scientific AutoSEM Software for top-down SEM metrology. Please click through to the appropriate product pages below for more information, or to request a demo.

SEM metrology performed automatically with Thermo Scientific software.
SEM metrology performed automatically with Thermo Scientific software.

SEM metrology workflow examples

 

 



Applications

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Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern

Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.

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Physikalische und chemische Charakterisierung

Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.

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Ausbeutesteigerung und Metrologie

Wir bieten fortschrittliche Analysemöglichkeiten für die Fehleranalyse, Metrologie und Prozesskontrolle, die die Produktivität erhöhen und die Ausbeute bei zahlreichen Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauelementen verbessern.

Fehleranalyse von Halbleitern

Fehleranalyse von Halbleitern

Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.

Analyse von Leistungshalbleitern

Analyse von Leistungshalbleitern

Leistungshalbleiter stellen besondere Herausforderungen für die Lokalisierung von Fehlern dar, vor allem aufgrund der Architektur und des Aufbaus von Leistungshalbleitern. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Analyse von Leistungshalbleitern ermöglichen unter Betriebsbedingungen eine schnelle Bestimmung des Fehlerorts sowie eine präzise Hochdurchsatzanalyse zur Charakterisierung von Materialien, Schnittstellen und Bauelementstrukturen.

Fehleranalyse von Anzeigemodulen

Fehleranalyse von Anzeigemodulen

Die Entwicklung von Anzeigetechnologien zielt darauf ab, die Anzeigequalität und die Effizienz der Lichtkonvertierung zu verbessern, um Anwendungen in verschiedenen Branchen zu unterstützen und gleichzeitig die Produktionskosten weiter zu senken. Unsere Lösungen für Prozessmesstechnik, Fehleranalyse und Forschung und Entwicklung helfen Unternehmen, die sich mit Anzeigen beschäftigen, diese Herausforderungen zu meistern.


Samples


Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen

Da Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, werden neue Designs und Strukturen benötigt. Arbeitsabläufe für hochproduktive 3D-Analysen können die Entwicklungszeit von Bauelementen verkürzen, die Ausbeute maximieren und sicherstellen, dass Bauelemente die zukünftigen Anforderungen der Branche erfüllen.

Weitere Informationen ›

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Products

Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten

Helios 5 DualBeam

  • Vollautomatische, hochwertige, ultradünne TEM-Probenvorbereitung
  • Hohe Durchsatzleistung, hochauflösende Untergrund- und 3D-Charakterisierung
  • Schnelle Nanoprototyping-Funktionen

Verios 5 XHR SEM

  • Monochromatisierte REM-Technologie für eine Auflösung im Subnanometerbereich über den gesamten Energiebereich von 1 bis 30 keV
  • Einfacher Zugang zu Kathodenstrahlenergien von nur 20 eV
  • Ausgezeichnete Stabilität mit Piezo-Tisch als Standard

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