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The fabrication of nanostructures and architectures with uniform dimensions is highly desirable for developing functional semiconductor devices. As these devices shrink, the fabrication of new designs and more complex structures, using novel materials, is needed to meet corresponding challenges. To this end, highly sensitive and advanced analytical tools must be used to detect the slightest electrical issues that can influence yield or performance in these more advanced structures.
As an example, analysis might include isolating electrical faults that cause semiconductor devices to fail at end-of-line tests. Defects, like metal shorts, opens, and transistor-level leakages, are localized in the failure analysis workflow to identify and troubleshoot failures, increasing overall device manufacturing yield. This helps to improve cost-effectiveness, and provides high-sensitivity solutions for detecting electrical failures.
Thermo Fisher Scientific 3D analysis solutions and workflows offer high-productivity characterization on a broad range of devices and sample types - from packaged die, bare die, to 150 mm, 200 mm and 300 mm wafers.
Performance, power efficiency, area, and cost are driving packaging innovations. Learn how workflows provide fast, precise, and accurate time-to-data.
Innovation starts with research and development. Learn more about solutions to help you understand innovative structures and materials at the atomic level.
Complex semiconductor device structures result in more places for defects to hide. Learn more about failure analysis solutions to isolate, analyze, and repair defects.
Many factors impact yield, performance, and reliability. Learn more about solutions to characterize physical, structural, and chemical properties.
Every electrostatic discharge (ESD) control plan is required to identify devices that are sensitive to ESD. We offer a complete suite of test systems to help with your device qualification requirements.
Data demands are driving 3D NAND, DRAM and other memory structure innovations. Learn how analysis tools and workflows offer accurate visibility of buried features and defects.
Novel architectures and materials pose new challenges. Learn how to pinpoint faults and characterize materials, structures, and interfaces.
Manufacturing today’s complex semiconductors requires exact process controls. Learn more about advanced metrology and analysis solutions to accelerate yield learnings.
Métrologie par TEM
Les routines de métrologie par TEM avancées et automatisées offrent une précision nettement supérieure à celle des méthodes manuelles. Cela permet aux utilisateurs de générer de grandes quantités de données statistiquement pertinentes, avec une spécificité de niveau inférieur à l’angström, qui est exempte de biais de l’opérateur.
Analyse et imagerie par TEM des semi-conducteurs
Les microscopes électroniques à transmission Thermo Fisher Scientific offrent une analyse et une imagerie haute résolution des dispositifs semi-conducteurs, ce qui permet aux fabricants d’étalonner les ensembles d’outils, de diagnostiquer les mécanismes de défaillance et d’optimiser les rendements globaux des processus.
Édition de circuits
Des solutions de nanoprototypage et d’édition de circuits avancées et dédiées, qui associent de nouveaux systèmes de distribution de gaz à une large gamme de chimies et de technologies à faisceau d’ions focalisé, offrent un contrôle et une précision inégalés pour le développement de dispositifs semi-conducteurs.
Métrologie par SEM
La microscopie électronique à balayage fournit des données de métrologie précises et fiables à l’échelle du nanomètre. La métrologie par SEM à ultra haute résolution automatisée permet un délai de rendement et de mise sur le marché plus rapide pour les applications de stockage de mémoire, de logique et de données.
Analyse et imagerie des semi-conducteurs
Thermo Fisher Scientific propose des microscopes électroniques à balayage pour chaque fonction d’un laboratoire de semi-conducteurs, des tâches d’imagerie générales aux techniques d’analyse de défaillances avancées nécessitant des mesures précises du contraste de tension.
Isolement des pannes optiques
Les conceptions de plus en plus complexes compliquent l’isolement des pannes et des défauts dans la fabrication de semi-conducteurs. Les techniques d’isolement des pannes optiques vous permettent d’analyser les performances des dispositifs électriquement actifs pour localiser les défauts critiques qui provoquent une défaillance du dispositif.
Isolement des pannes thermiques
Une répartition inégale de la dissipation d’énergie locale peut entraîner de grandes augmentations localisées de la température, ce qui entraîne une défaillance du dispositif. Nous proposons des solutions uniques pour l’isolement des pannes thermiques grâce à la thermographie infrarouge à verrouillage haute sensibilité (LIT).
Préparation des échantillons de dispositifs semi-conducteurs
Les systèmes DualBeam Thermo Scientific fournissent une préparation des échantillons par TEM précise pour l’analyse à l’échelle atomique des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies d’automatisation et d’apprentissage automatique avancé produisent des échantillons de haute qualité, au bon emplacement, et à un faible coût par échantillon.
Nanosondage
À mesure que la complexité des dispositifs augmente, le nombre d’endroits où les défauts peuvent se cacher augmente également. Le nanosondage fournit la localisation précise des pannes électriques, ce qui est essentiel pour un flux de travail efficace d’analyse des défaillances par microscopie électronique à transmission.
Ablation par laser des semi-conducteurs
L’ablation par laser permet la mouture à haut débit de dispositifs semi-conducteurs pour l’imagerie et l’analyse par microscopie électronique tout en conservant l’intégrité des échantillons. Accédez à des données 3D à grand volume et optimisez les conditions de mouture afin de les adapter au mieux à votre type d’échantillon.
Déstratification des dispositifs
La réduction de la taille des caractéristiques, ainsi que la conception et l’architecture avancées, donne lieu à une analyse des défaillances de plus en plus difficile pour les semi-conducteurs. La déstratification des dispositifs sans dommages est une technique essentielle pour la détection des pannes et défaillances électriques intégrées.
Tests de conformité des ESD
Les décharges électrostatiques (ESD) peuvent endommager les petites caractéristiques et structures des semi-conducteurs et des circuits intégrés. Nous proposons une suite complète d’équipements de test qui vérifie que vos dispositifs répondent aux normes de conformité des ESD ciblées.
Métrologie par TEM
Les routines de métrologie par TEM avancées et automatisées offrent une précision nettement supérieure à celle des méthodes manuelles. Cela permet aux utilisateurs de générer de grandes quantités de données statistiquement pertinentes, avec une spécificité de niveau inférieur à l’angström, qui est exempte de biais de l’opérateur.
Analyse et imagerie par TEM des semi-conducteurs
Les microscopes électroniques à transmission Thermo Fisher Scientific offrent une analyse et une imagerie haute résolution des dispositifs semi-conducteurs, ce qui permet aux fabricants d’étalonner les ensembles d’outils, de diagnostiquer les mécanismes de défaillance et d’optimiser les rendements globaux des processus.
Édition de circuits
Des solutions de nanoprototypage et d’édition de circuits avancées et dédiées, qui associent de nouveaux systèmes de distribution de gaz à une large gamme de chimies et de technologies à faisceau d’ions focalisé, offrent un contrôle et une précision inégalés pour le développement de dispositifs semi-conducteurs.
Métrologie par SEM
La microscopie électronique à balayage fournit des données de métrologie précises et fiables à l’échelle du nanomètre. La métrologie par SEM à ultra haute résolution automatisée permet un délai de rendement et de mise sur le marché plus rapide pour les applications de stockage de mémoire, de logique et de données.
Analyse et imagerie des semi-conducteurs
Thermo Fisher Scientific propose des microscopes électroniques à balayage pour chaque fonction d’un laboratoire de semi-conducteurs, des tâches d’imagerie générales aux techniques d’analyse de défaillances avancées nécessitant des mesures précises du contraste de tension.
Isolement des pannes optiques
Les conceptions de plus en plus complexes compliquent l’isolement des pannes et des défauts dans la fabrication de semi-conducteurs. Les techniques d’isolement des pannes optiques vous permettent d’analyser les performances des dispositifs électriquement actifs pour localiser les défauts critiques qui provoquent une défaillance du dispositif.
Isolement des pannes thermiques
Une répartition inégale de la dissipation d’énergie locale peut entraîner de grandes augmentations localisées de la température, ce qui entraîne une défaillance du dispositif. Nous proposons des solutions uniques pour l’isolement des pannes thermiques grâce à la thermographie infrarouge à verrouillage haute sensibilité (LIT).
Préparation des échantillons de dispositifs semi-conducteurs
Les systèmes DualBeam Thermo Scientific fournissent une préparation des échantillons par TEM précise pour l’analyse à l’échelle atomique des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies d’automatisation et d’apprentissage automatique avancé produisent des échantillons de haute qualité, au bon emplacement, et à un faible coût par échantillon.
Nanosondage
À mesure que la complexité des dispositifs augmente, le nombre d’endroits où les défauts peuvent se cacher augmente également. Le nanosondage fournit la localisation précise des pannes électriques, ce qui est essentiel pour un flux de travail efficace d’analyse des défaillances par microscopie électronique à transmission.
Ablation par laser des semi-conducteurs
L’ablation par laser permet la mouture à haut débit de dispositifs semi-conducteurs pour l’imagerie et l’analyse par microscopie électronique tout en conservant l’intégrité des échantillons. Accédez à des données 3D à grand volume et optimisez les conditions de mouture afin de les adapter au mieux à votre type d’échantillon.
Déstratification des dispositifs
La réduction de la taille des caractéristiques, ainsi que la conception et l’architecture avancées, donne lieu à une analyse des défaillances de plus en plus difficile pour les semi-conducteurs. La déstratification des dispositifs sans dommages est une technique essentielle pour la détection des pannes et défaillances électriques intégrées.
Tests de conformité des ESD
Les décharges électrostatiques (ESD) peuvent endommager les petites caractéristiques et structures des semi-conducteurs et des circuits intégrés. Nous proposons une suite complète d’équipements de test qui vérifie que vos dispositifs répondent aux normes de conformité des ESD ciblées.







