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Semiconductor Analysis
Display Module Failure Analysis
Display research and development, process metrology and failure inspection.
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bf5a – Anwendungen/Verfahren/Produkte/Ressourcen/Kontakt
Displays are an essential part of our daily lives. Over the past decade, mainstream display technology has transitioned from LCD to OLED with new technologies such as quantum dot and micro-LED emerging. Resolution, luminance, form factor, reliability, and quality are driving continuous innovation in display development.
As display technologies advance, research and development, process metrology, and failure analysis challenges increase, requiring fast time-to-data and reliable solutions.
Engineering future generations of advanced display technology
Improving display quality and light conversion efficiency, while continuing to increase yields and reducing production costs is critical.
Mainstream (OLED) technology is striving to deliver a longer display life and new form factors, leading to the continued development of thin-film encapsulation (TFE) technology. The evolution from quantum dot enhancement film (QDEF) to electroluminescent QD LED demands precise characterization and control over the size and shape of the microstructure. For micro-LED, there is a continued desire to improve its external quantum efficiency and reduce leakage current.
These advancements introduce new engineering challenges that necessitate nano-scale analysis, repeatable performance, and high-quality data from S/TEM based analytical workflows.
Semiconductor process metrology for high-quality display device manufacturing
As designers shrink the dimensions of display technology, the need for high accuracy metrology increases. Reducing pixel size improves resolution, reducing the display thickness increases energy conversion. New architectures require the critical dimensions (CD) of the backplane and the light-emitting unit be controlled accurately in both lateral and vertical directions. Tighter design specifications require fast FIB/SEM based metrology with a high degree of automation and repeatability.
Failure analysis of display technology
Display device manufacturing is increasingly complex. Defects due to particles, contamination, or process deviations can impact panel yield and productivity. As pixel size shrinks laterally, and structural complexity increases, traditional optical inspection methods no longer detect all the “killer” defects. With defects occurring in the panel or the fully assembled display module, isolating the defect to a particular depth or vertical layer becomes more challenging. This places a greater premium on solutions and workflows that deliver thin slices through large volume samples with surgical precision and minimal damage while providing high-resolution images to identify defects quickly and confidently.
Thermo Fisher Scientific offers a unique and comprehensive set of workflows to meet the R&D, metrology, and defect characterization needs of the advanced display industry.
Example workflows
1. Display panel failure analysis workflow:
2. Display module assembly failure analysis workflow:
Full-stack, large-area cross-section of a touchscreen from POL to PI.
Fully automated TEM prep of the light-emitting layer.
Blogs
- How to Clear R&D Hurdles in Display Technology Engineering ›
- How to Improve Quality and Yield with Early Failure Analysis of Semiconductor Devices ›
- How Advanced Process Metrology Enables Crucial Layer Examination of Display Technology ›
- Mapping the Evolving World of Information Display Technology ›
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Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern
Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.
Ausbeutesteigerung und Metrologie
Wir bieten fortschrittliche Analysemöglichkeiten für die Fehleranalyse, Metrologie und Prozesskontrolle, die die Produktivität erhöhen und die Ausbeute bei zahlreichen Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauelementen verbessern.
Fehleranalyse von Halbleitern
Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.
Physikalische und chemische Charakterisierung
Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.
ESD-Halbleiterqualifizierung
Jeder Kontrollplan für elektrostatische Entladung (ESD) muss Geräte identifizieren können, die empfindlich auf elektrostatische Entladung reagieren. Wir bieten ein komplettes Angebot von Testsystemen für die Qualifizierung Ihrer Geräte.
Thermische Fehlerisolierung
Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).
Bildgebung und Analyse von Halbleitern
Thermo Fisher Scientific bietet Rasterelektronenmikroskope für jede Funktion eines Halbleiterlabors, von allgemeinen Bildgebungsaufgaben bis hin zu fortschrittlichen Fehleranalyseverfahren, die präzise Spannungskontrastmessungen erfordern.
SEM-Messtechnik
Die Rasterelektronenmikroskopie liefert präzise und zuverlässige Metrologiedaten im Nanometerbereich. Die automatisierte REM-Messtechnik mit ultrahoher Auflösung ermöglicht eine schnellere Ausbeute (Time-to-Yield) und Markteinführung (Time-to-Market) für Speicher-, Logik- und Datenspeicheranwendungen.
Probenvorbereitung von Halbleiterbauelementen
Thermo Scientific DualBeam Systeme bieten genaue eine TEM-Probenvorbereitung für die Analyse von Halbleiterbauelementen im atomaren Maßstab. Automatisierung und fortschrittliche Machine-Learning-Methoden erzeugen qualitativ hochwertige Proben am richtigen Ort und zu niedrigen Kosten pro Probe.
Bildgebung und Analyse mittels TEM für Halbleiter
Thermo Fisher Scientific Transmissionselektronenmikroskope bieten die hochauflösende Bildgebung und Analyse von Halbleiterbauelementen, mit denen Hersteller Werkzeuge kalibrieren, Fehlermechanismen diagnostizieren und die Gesamtprozesserträge optimieren können.
Entschichtung von Bauelementen
Immer kleinere Bauelemente und fortschrittliches Design und Architektur führen zu immer größeren Herausforderungen bei der Fehleranalyse von Halbleitern. Die schadensfreie Entschichtung von Bauelementen ist ein wichtiges Verfahren für die Erkennung von verborgenen elektrischen Fehlern und Ausfällen.
ESD-Konformitätstests
Elektrostatische Entladungen (ESD) können kleine Merkmale und Strukturen in Halbleitern und integrierten Schaltkreisen beschädigen. Wir bieten eine umfassende Suite von Testgeräten, mit denen Sie überprüfen können, ob Ihre Bauelemente die angestrebten ESD-Konformitätsstandards erfüllen.
Thermische Fehlerisolierung
Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).
Bildgebung und Analyse von Halbleitern
Thermo Fisher Scientific bietet Rasterelektronenmikroskope für jede Funktion eines Halbleiterlabors, von allgemeinen Bildgebungsaufgaben bis hin zu fortschrittlichen Fehleranalyseverfahren, die präzise Spannungskontrastmessungen erfordern.
SEM-Messtechnik
Die Rasterelektronenmikroskopie liefert präzise und zuverlässige Metrologiedaten im Nanometerbereich. Die automatisierte REM-Messtechnik mit ultrahoher Auflösung ermöglicht eine schnellere Ausbeute (Time-to-Yield) und Markteinführung (Time-to-Market) für Speicher-, Logik- und Datenspeicheranwendungen.
Probenvorbereitung von Halbleiterbauelementen
Thermo Scientific DualBeam Systeme bieten genaue eine TEM-Probenvorbereitung für die Analyse von Halbleiterbauelementen im atomaren Maßstab. Automatisierung und fortschrittliche Machine-Learning-Methoden erzeugen qualitativ hochwertige Proben am richtigen Ort und zu niedrigen Kosten pro Probe.
Bildgebung und Analyse mittels TEM für Halbleiter
Thermo Fisher Scientific Transmissionselektronenmikroskope bieten die hochauflösende Bildgebung und Analyse von Halbleiterbauelementen, mit denen Hersteller Werkzeuge kalibrieren, Fehlermechanismen diagnostizieren und die Gesamtprozesserträge optimieren können.
Entschichtung von Bauelementen
Immer kleinere Bauelemente und fortschrittliches Design und Architektur führen zu immer größeren Herausforderungen bei der Fehleranalyse von Halbleitern. Die schadensfreie Entschichtung von Bauelementen ist ein wichtiges Verfahren für die Erkennung von verborgenen elektrischen Fehlern und Ausfällen.
ESD-Konformitätstests
Elektrostatische Entladungen (ESD) können kleine Merkmale und Strukturen in Halbleitern und integrierten Schaltkreisen beschädigen. Wir bieten eine umfassende Suite von Testgeräten, mit denen Sie überprüfen können, ob Ihre Bauelemente die angestrebten ESD-Konformitätsstandards erfüllen.
Formatvorlage für das Original der Instrumentenkarten
Style Sheet for Komodo Tabs
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