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The increasing complexity of semiconductor device structures, along with the shrinking of structural dimensions, means that designing next-generation devices is more challenging and time-consuming than ever before. This, coupled with the fact that the number of technology and design options available is increasing, means a lower probability that any particular design will be commercially successful. As a result, device manufacturers need reliable tools for pathfinding that reduce the number of viable options available and help them implement solutions faster.
The complexity of considering all the chip, package, and system integration options that exist has made implementation an intimidating task. As a result, continuing evolution of the most advanced pathfinding capability has become a requirement in efficient semiconductor device design. Adding to this level of complexity are structures with multifaceted 3D architectures. Isolating defects or resolving material interfaces in a focused-ion-beam (FIB) cut structural cross-section requires highly precise preparation and subsequent scanning electron microscopy (SEM) or scanning transmission electron microscopy (STEM) imaging. Precision FIB editing tools can also perform microsurgery and nanoprototyping of new circuit designs. Finally, due to limited floorspace and budgets, labs are pushing to have multiple analysis options in a single system to get the most comprehensive data in the shortest possible time.
Thermo Fisher Scientific provides a full suite of analytical instruments that enable advanced R&D on innovative logic, memory, power and display device technologies. We offer the most advanced capability to perform high-end atomic-level research and prototyping, using STEM and FIB microscopy.
Semiconductor pathfinding and device development workflow examples
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Métrologie par TEM
Les routines de métrologie par TEM avancées et automatisées offrent une précision nettement supérieure à celle des méthodes manuelles. Cela permet aux utilisateurs de générer de grandes quantités de données statistiquement pertinentes, avec une spécificité de niveau inférieur à l’angström, qui est exempte de biais de l’opérateur.
Analyse et imagerie par TEM des semi-conducteurs
Les microscopes électroniques à transmission Thermo Fisher Scientific offrent une analyse et une imagerie haute résolution des dispositifs semi-conducteurs, ce qui permet aux fabricants d’étalonner les ensembles d’outils, de diagnostiquer les mécanismes de défaillance et d’optimiser les rendements globaux des processus.
Préparation des échantillons de dispositifs semi-conducteurs
Les systèmes DualBeam Thermo Scientific fournissent une préparation des échantillons par TEM précise pour l’analyse à l’échelle atomique des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies d’automatisation et d’apprentissage automatique avancé produisent des échantillons de haute qualité, au bon emplacement, et à un faible coût par échantillon.
Analyse et imagerie des semi-conducteurs
Thermo Fisher Scientific propose des microscopes électroniques à balayage pour chaque fonction d’un laboratoire de semi-conducteurs, des tâches d’imagerie générales aux techniques d’analyse de défaillances avancées nécessitant des mesures précises du contraste de tension.
Isolement des pannes optiques
Les conceptions de plus en plus complexes compliquent l’isolement des pannes et des défauts dans la fabrication de semi-conducteurs. Les techniques d’isolement des pannes optiques vous permettent d’analyser les performances des dispositifs électriquement actifs pour localiser les défauts critiques qui provoquent une défaillance du dispositif.
Isolement des pannes thermiques
Une répartition inégale de la dissipation d’énergie locale peut entraîner de grandes augmentations localisées de la température, ce qui entraîne une défaillance du dispositif. Nous proposons des solutions uniques pour l’isolement des pannes thermiques grâce à la thermographie infrarouge à verrouillage haute sensibilité (LIT).
Édition de circuits
Des solutions de nanoprototypage et d’édition de circuits avancées et dédiées, qui associent de nouveaux systèmes de distribution de gaz à une large gamme de chimies et de technologies à faisceau d’ions focalisé, offrent un contrôle et une précision inégalés pour le développement de dispositifs semi-conducteurs.
Nanosondage
À mesure que la complexité des dispositifs augmente, le nombre d’endroits où les défauts peuvent se cacher augmente également. Le nanosondage fournit la localisation précise des pannes électriques, ce qui est essentiel pour un flux de travail efficace d’analyse des défaillances par microscopie électronique à transmission.
Ablation par laser des semi-conducteurs
L’ablation par laser permet la mouture à haut débit de dispositifs semi-conducteurs pour l’imagerie et l’analyse par microscopie électronique tout en conservant l’intégrité des échantillons. Accédez à des données 3D à grand volume et optimisez les conditions de mouture afin de les adapter au mieux à votre type d’échantillon.
Préparation des échantillons par APT
La tomographie par sonde atomique (APT) fournit une analyse de composition 3D à résolution atomique des matériaux. La microscopie par faisceau d’ions focalisé (FIB) est une technique essentielle pour la préparation d’échantillons spécifique au site, orientée et de haute qualité pour la caractérisation de l’APT.
Déstratification des dispositifs
La réduction de la taille des caractéristiques, ainsi que la conception et l’architecture avancées, donne lieu à une analyse des défaillances de plus en plus difficile pour les semi-conducteurs. La déstratification des dispositifs sans dommages est une technique essentielle pour la détection des pannes et défaillances électriques intégrées.
Métrologie par TEM
Les routines de métrologie par TEM avancées et automatisées offrent une précision nettement supérieure à celle des méthodes manuelles. Cela permet aux utilisateurs de générer de grandes quantités de données statistiquement pertinentes, avec une spécificité de niveau inférieur à l’angström, qui est exempte de biais de l’opérateur.
Analyse et imagerie par TEM des semi-conducteurs
Les microscopes électroniques à transmission Thermo Fisher Scientific offrent une analyse et une imagerie haute résolution des dispositifs semi-conducteurs, ce qui permet aux fabricants d’étalonner les ensembles d’outils, de diagnostiquer les mécanismes de défaillance et d’optimiser les rendements globaux des processus.
Préparation des échantillons de dispositifs semi-conducteurs
Les systèmes DualBeam Thermo Scientific fournissent une préparation des échantillons par TEM précise pour l’analyse à l’échelle atomique des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies d’automatisation et d’apprentissage automatique avancé produisent des échantillons de haute qualité, au bon emplacement, et à un faible coût par échantillon.
Analyse et imagerie des semi-conducteurs
Thermo Fisher Scientific propose des microscopes électroniques à balayage pour chaque fonction d’un laboratoire de semi-conducteurs, des tâches d’imagerie générales aux techniques d’analyse de défaillances avancées nécessitant des mesures précises du contraste de tension.
Isolement des pannes optiques
Les conceptions de plus en plus complexes compliquent l’isolement des pannes et des défauts dans la fabrication de semi-conducteurs. Les techniques d’isolement des pannes optiques vous permettent d’analyser les performances des dispositifs électriquement actifs pour localiser les défauts critiques qui provoquent une défaillance du dispositif.
Isolement des pannes thermiques
Une répartition inégale de la dissipation d’énergie locale peut entraîner de grandes augmentations localisées de la température, ce qui entraîne une défaillance du dispositif. Nous proposons des solutions uniques pour l’isolement des pannes thermiques grâce à la thermographie infrarouge à verrouillage haute sensibilité (LIT).
Édition de circuits
Des solutions de nanoprototypage et d’édition de circuits avancées et dédiées, qui associent de nouveaux systèmes de distribution de gaz à une large gamme de chimies et de technologies à faisceau d’ions focalisé, offrent un contrôle et une précision inégalés pour le développement de dispositifs semi-conducteurs.
Nanosondage
À mesure que la complexité des dispositifs augmente, le nombre d’endroits où les défauts peuvent se cacher augmente également. Le nanosondage fournit la localisation précise des pannes électriques, ce qui est essentiel pour un flux de travail efficace d’analyse des défaillances par microscopie électronique à transmission.
Ablation par laser des semi-conducteurs
L’ablation par laser permet la mouture à haut débit de dispositifs semi-conducteurs pour l’imagerie et l’analyse par microscopie électronique tout en conservant l’intégrité des échantillons. Accédez à des données 3D à grand volume et optimisez les conditions de mouture afin de les adapter au mieux à votre type d’échantillon.
Préparation des échantillons par APT
La tomographie par sonde atomique (APT) fournit une analyse de composition 3D à résolution atomique des matériaux. La microscopie par faisceau d’ions focalisé (FIB) est une technique essentielle pour la préparation d’échantillons spécifique au site, orientée et de haute qualité pour la caractérisation de l’APT.
Déstratification des dispositifs
La réduction de la taille des caractéristiques, ainsi que la conception et l’architecture avancées, donne lieu à une analyse des défaillances de plus en plus difficile pour les semi-conducteurs. La déstratification des dispositifs sans dommages est une technique essentielle pour la détection des pannes et défaillances électriques intégrées.
Caractérisation des dispositifs et matériaux semi-conducteurs
À mesure que les dispositifs semi-conducteurs rétrécissent et deviennent plus complexes, de nouvelles conceptions et structures sont nécessaires. Les flux de travaux d’analyse 3D à haute productivité peuvent raccourcir la durée de développement des dispositifs, optimiser le rendement et s’assurer que les dispositifs répondent aux besoins futurs de l’industrie.
Style Sheet for Instrument Cards Original
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